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| 講演名 | 2018-11-30 09:25 ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 ○古岡啓太・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大）  ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾値電圧の変動等の原因となるため、GaN系パワーデバイス作製の課題となっている。我々は、絶縁膜形成後のアニール(PDA)および、ゲート金属蒸着後のアニール(PMA)を種々のアニール雰囲気で行い、ALD-Al2O3/AlGaN/ GaN MIS-HEMTのデバイス特性に及ぼすアニール雰囲気の効果について評価を行った。またAl2O3/AlGaN界面におけるXPS分析による評価も行った。フォーミングガス(FG)雰囲気によるPMAで比較的低温の300,400℃で閾値シフトが1 V付近まで減少した。またXPS分析によって水素による窒素ダングリングボンドの終端を確認することができた。 |
| （英） | We conducted post-deposition annealing (PDA) and post-metalization annealing in various annealing atmosphere and evaluated the effect of annealing ambient on device characteristics of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT. We also evaluated the Al2O3/AlGaN interface by XPS analysis. The ⊿Vth with FG-PMA decreased to 1 V at a relatively low temperature of 400℃. XPS analysis confirmed the termination of nitrogen dangling bonds by hydrogen atoms. | |
| キーワード | （和） | GaN / MIS / HEMT / PDA / PMA / / / |
| （英） | GaN / MIS / HEMT / PDA / PMA / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 330, ED2018-42, pp. 45-48, 2018年11月. | |
| 資料番号 | ED2018-42 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of annealing ambient on electrical properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | PDA / PDA |
| キーワード(5)（和/英） | PMA / PMA |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古岡 啓太 / Keita Furuoka / フルオカ ケイタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-30 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2018-42, CPM2018-76, LQE2018-96 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.45-48 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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