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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-29 16:30 酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製 ○季 ぶん・市村正也（名工大）  ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94 |
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| 抄録 | （和） | FeS2 はバンドギャップの狭い p 型半導体であるため、ヘテロ接合太陽電池では良好な吸収体とみなされている。半透明 FeSxOy 薄膜は、三段パルス電気化学堆積（ECD）法によって堆積された。堆積した膜はかなりの量の酸素を含み、したがって「FeSxOy」と表示された。この研究では、堆積溶液に錯化剤として酒石酸を添加することにより、FeSxOy 薄膜の酸素含有量を制御しようとしている。O/Fe 比は、50mM の酒石酸を添加することによって 1.19 から 0.24 に減少する。p 型導電性が光電気化学的測定により確認された。ZnO はバンドギャップが約 3.2eVの n 型半導体である。 我々は、ECD によって ZnO /FeSxOy ヘテロ接合を作製し、整流特性を観察する。 |
| （英） | FeS2 is a p-type semiconductor with a narrow band gap and thus is regarded as a good absorber in a heterojunction solar cell. Semi-transparent FeSxOy thin films were deposited by three-step pulse electrochemical deposition (ECD) method. The deposited film contained considerable amount of oxygen and thus was labeled "FeSxOy". In this work, we try to control oxygen content in the FeSxOy thin films by adding tartaric acid as a complexing agent in the deposition solution. The O/Fe ratio is reduced from 1.19 to 0.24 by adding 50 mM tartaric acid. p-type conductivity was confirmed by the photoelectrochemical measurement. ZnO is an n-type semiconductor having a band gap of about 3.2 eV. We fabricate a ZnO / FeSxOy heterojunction by ECD and observe rectification properties. | |
| キーワード | （和） | FeS2 / ZnO / 酒石酸 / 電気化学堆積法 / 太陽電池 / / / |
| （英） | FeS2 / ZnO / Tartaric Acid / Electrochemical Deposition / Solar cell / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 331, CPM2018-74, pp. 35-39, 2018年11月. | |
| 資料番号 | CPM2018-74 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of FeSxOy thin film by tartaric acid added three-step pulse electrochemical deposition and fabrication of ZnO/FeSxOy heterojunction solar cell |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | FeS2 / FeS2 |
| キーワード(2)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(3)（和/英） | 酒石酸 / Tartaric Acid |
| キーワード(4)（和/英） | 電気化学堆積法 / Electrochemical Deposition |
| キーワード(5)（和/英） | 太陽電池 / Solar cell |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 季 ぶん / Wen Ji / キ ブン |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-29 16:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2018-40, CPM2018-74, LQE2018-94 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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