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講演抄録/キーワード
講演名 2018-11-22 15:10
[ポスター講演]High-Frequency Equivalent Circuit Model for High- Density Through-Silicon-Via
Kibeom KimSeungyoung AhnKAISTEMCJ2018-67
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 118, no. 317, EMCJ2018-67, pp. 37-37, 2018年11月.
資料番号 EMCJ2018-67 
発行日 2018-11-15 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2018-67

研究会情報
研究会 EMCJ IEE-EMC IEE-MAG  
開催期間 2018-11-22 - 2018-11-23 
開催地(和) KAIST(韓国大田市) 
開催地(英) KAIST 
テーマ(和) EMC Joint Workshop 2018, Daejon 
テーマ(英) EMC Joint Workshop 2018, Daejon 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2018-11-EMCJ-EMC-MAG 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-Frequency Equivalent Circuit Model for High- Density Through-Silicon-Via 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Kibeom Kim / Kibeom Kim /
第1著者 所属(和/英) Korea Advanced Institute of Science and Technology (略称: KAIST)
Korea Advanced Institute of Science and Technology (略称: KAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Seungyoung Ahn / Seungyoung Ahn /
第2著者 所属(和/英) Korea Advanced Institute of Science and Technology (略称: KAIST)
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講演者
発表日時 2018-11-22 15:10:00 
発表時間 60 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 IEICE-EMCJ2018-67 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.317 
ページ範囲 p.37 
ページ数 IEICE-1 
発行日 IEICE-EMCJ-2018-11-15 


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