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講演抄録/キーワード
講演名 2018-11-08 11:20
[招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2018-66
抄録 (和) 本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果トランジスタ(TFET)を提案する.酸化物半導体とIV族半導体を積層したbilayer 構造により,ゲートに対して垂直なトンネリングが活用可能であり,steep-slope トランジスタとして高いポテンシャルを有する.TCAD シミュレーションと素子作製・動作実証を並行して行い,材料選択や不純物濃度などの基礎的な素子パラメータに加え,膜厚不均一性や界面欠陥など素子作製時に生じる課題と電気特性に与える影響を広く調査し,高性能素子実現に向けた素子設計指針を示す. 
(英) A novel bilayer tunneling field effect transistor (TFET) employing an attractive material combination of oxide-semiconductors and group-IV-semiconductors with type-II energy band alignment is proposed, in this study. Based on TCAD simulation and experimental demonstration, high potential of the proposed bilayer TFET as a steep-slope device and impacts of key device parameters such as energy band alignment and impurity concentration on electrical performance of the bilayer TFET have been widely studied. Also, influences of channel thickness non-uniformity and interface state, which could be critical issues for realistic device fabrication, have been investigated. This comprehensive understanding leads a clear guideline for device design of high-performance bilayer TFETs.
キーワード (和) トンネルトランジスタ / Steep-slope / 酸化物半導体 / IV族半導体 / / / /  
(英) Tunneling transistor / Steep-slope / Oxide semiconductor / Group-IV semiconductor / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 291, SDM2018-66, pp. 11-16, 2018年11月.
資料番号 SDM2018-66 
発行日 2018-11-01 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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PDFダウンロード SDM2018-66

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-11-08 - 2018-11-09 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Proposal and device design of tunneling field effect transistor with oxide semiconductor and group-IV semiconductor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) トンネルトランジスタ / Tunneling transistor  
キーワード(2)(和/英) Steep-slope / Steep-slope  
キーワード(3)(和/英) 酸化物半導体 / Oxide semiconductor  
キーワード(4)(和/英) IV族半導体 / Group-IV semiconductor  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 裕章 / Hiroaki Matsui / マツイ ヒロアキ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田畑 仁 / Hitoshi Tabata / タバタ ヒトシ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
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講演者
発表日時 2018-11-08 11:20:00 
発表時間 60 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2018-66 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.291 
ページ範囲 pp.11-16 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2018-11-01 


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