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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-08 10:20 ［招待講演］電子デバイスの開発と教育における計算機シミュレーションの利用 ○内田 建（東大）・田中貴久（慶大）  SDM2018-65 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-65 |
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| 抄録 | （和） | ナノスケール世代における電子デバイスの開発では，量子効果を取り込み，バンド構造などを詳細に考慮した計算機シミュレーションの利用が不可欠である．立体構造トランジスタにおいて量子効果・熱輸送の考慮なくして先端デバイスの開発はできない．本講演では，著者らのグループにおける実験と計算機シミュレーションの併用によるデバイス開発を紹介する．また，分子センサの開発における計算機利用の例についても紹介する． |
| （英） | To develop nano-scale electronic devices, computer simulations in which quantum mechanical effects and detailed band structures are taken into account need to be used. In order to accurately reproduce the characteristics of three-dimensional transistors such as FinFET, thermal properties of nano-materials have to be considered. In this presentation, we will introduce our experimental and computational studies on nano-scale transistors. In addition, our recent research work on molecular gas sensors will be shown. | |
| キーワード | （和） | 量子効果 / キャリア輸送 / 熱輸送 / トランジスタ / センサ / / / |
| （英） | quantum effect / carrier transport / thermal transport / transistor / sensor / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 291, SDM2018-65, pp. 7-10, 2018年11月. | |
| 資料番号 | SDM2018-65 | |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-65 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-65 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-11-08 - 2018-11-09 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電子デバイスの開発と教育における計算機シミュレーションの利用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development and Education of Electron Devices assisted with Computer Simulation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子効果 / quantum effect |
| キーワード(2)（和/英） | キャリア輸送 / carrier transport |
| キーワード(3)（和/英） | 熱輸送 / thermal transport |
| キーワード(4)（和/英） | トランジスタ / transistor |
| キーワード(5)（和/英） | センサ / sensor |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 建 / Ken Uchida / ウチダ ケン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 貴久 / Takahisa Tanaka / タナカ タカヒサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 (略称： 慶大) Keio University (略称： Keio Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-08 10:20:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-65 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.291 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) |
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