| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-02 14:25 ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 ○中澤日出樹・中村和樹・長内公哉・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大）  CPM2018-52 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2018-52 |
|
| 抄録 | （和） | 希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-DLC)の膜特性へのアニール効果を調べ、窒素添加DLC(N-DLC)膜との比較を行った。N-DLC膜では420ºC以上の真空中ポストアニールによってsp^(2)炭素のクラスター化が起こるが、Si-N-DLC膜では420ºCのアニールでもクラスター化がほぼ抑制されることがわかった。また、Si-N-DLC膜では420～490ºCのアニール後に結合水素量が明らかに増加した。Si-N-DLC膜の光学ギャップはN-DLC膜よりも大きく、490ºCのアニール後もほとんど変化しなかった。 |
| （英） | We have investigated the effects of post-annealing on the properties of silicon and nitrogen doped diamond-like carbon (Si-N-DLC) films, which were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using H_(2) as a dilution gas and compared the properties of the Si-N-DLC films with those of nitrogen doped DLC (N-DLC) films. We found that the clustering of sp^(2) carbon atoms was accelerated for the N-DLC films by post-annealing in a vacuum at a temperature of 420ºC or above, whereas the sp^(2) C clustering was almost suppressed for the Si-N-DLC films. It was also found that the amount of bound hydrogen in the Si-N-DLC films obviously increased after annealing at temperatures of 420 to 490ºC. The Si-N-DLC films had higher optical bands than the N-DLC films, and the optical band gap of the Si-N-DLC films remained almost unchanged after annealing even at 490ºC. | |
| キーワード | （和） | ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長 / ケイ素 / 窒素 / ポストアニール / / / |
| （英） | Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen / Post-annealing / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 276, CPM2018-52, pp. 99-104, 2018年11月. | |
| 資料番号 | CPM2018-52 | |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2018-52 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2018-52 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM IEE-MAG |
| 開催期間 | 2018-11-01 - 2018-11-02 |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | Machinaka campus Nagaoka |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectric materials, transparent conductors, semiconductors, etc.) Thin film processes / materials / devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2018-11-CPM-MAG |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermal stability of silicon and nitrogen doped DLC thin films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | ケイ素 / Silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 窒素 / Nitrogen |
| キーワード(5)（和/英） | ポストアニール / Post-annealing |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 和樹 / Kazuki Nakamura / ナカムラ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長内 公哉 / Hiroya Osanai / オサナイ ヒロヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 郡山 春人 / Haruto Koriyama / コオリヤマ ハルト |
| 第4著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi / コバヤシ ヤスユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル |
| 第6著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki / スズキ ユウシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-02 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2018-52 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.276 |
| ページ範囲 | pp.99-104 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]