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講演抄録/キーワード
講演名 2018-11-02 14:25
ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
中澤日出樹中村和樹長内公哉郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大CPM2018-52
抄録 (和) 希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-DLC)の膜特性へのアニール効果を調べ、窒素添加DLC(N-DLC)膜との比較を行った。N-DLC膜では420ºC以上の真空中ポストアニールによってsp^(2)炭素のクラスター化が起こるが、Si-N-DLC膜では420ºCのアニールでもクラスター化がほぼ抑制されることがわかった。また、Si-N-DLC膜では420~490ºCのアニール後に結合水素量が明らかに増加した。Si-N-DLC膜の光学ギャップはN-DLC膜よりも大きく、490ºCのアニール後もほとんど変化しなかった。 
(英) We have investigated the effects of post-annealing on the properties of silicon and nitrogen doped diamond-like carbon (Si-N-DLC) films, which were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using H_(2) as a dilution gas and compared the properties of the Si-N-DLC films with those of nitrogen doped DLC (N-DLC) films. We found that the clustering of sp^(2) carbon atoms was accelerated for the N-DLC films by post-annealing in a vacuum at a temperature of 420ºC or above, whereas the sp^(2) C clustering was almost suppressed for the Si-N-DLC films. It was also found that the amount of bound hydrogen in the Si-N-DLC films obviously increased after annealing at temperatures of 420 to 490ºC. The Si-N-DLC films had higher optical bands than the N-DLC films, and the optical band gap of the Si-N-DLC films remained almost unchanged after annealing even at 490ºC.
キーワード (和) ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長 / ケイ素 / 窒素 / ポストアニール / / /  
(英) Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen / Post-annealing / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 276, CPM2018-52, pp. 99-104, 2018年11月.
資料番号 CPM2018-52 
発行日 2018-10-25 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード CPM2018-52

研究会情報
研究会 CPM IEE-MAG  
開催期間 2018-11-01 - 2018-11-02 
開催地(和) まちなかキャンパス長岡 
開催地(英) Machinaka campus Nagaoka 
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 
テーマ(英) Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectric materials, transparent conductors, semiconductors, etc.) Thin film processes / materials / devices, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-11-CPM-MAG 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Thermal stability of silicon and nitrogen doped DLC thin films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon  
キーワード(2)(和/英) プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition  
キーワード(3)(和/英) ケイ素 / Silicon  
キーワード(4)(和/英) 窒素 / Nitrogen  
キーワード(5)(和/英) ポストアニール / Post-annealing  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 和樹 / Kazuki Nakamura / ナカムラ カズキ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長内 公哉 / Hiroya Osanai / オサナイ ヒロヤ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 郡山 春人 / Haruto Koriyama / コオリヤマ ハルト
第4著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi / コバヤシ ヤスユキ
第5著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル
第6著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki / スズキ ユウシ
第7著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第8著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2018-11-02 14:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2018-52 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.276 
ページ範囲 pp.99-104 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2018-10-25 


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