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講演抄録/キーワード
講演名 2018-10-18 14:00
ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析
市野真也寺本章伸黒田理人間脇武蔵諏訪智之須川成利東北大SDM2018-62 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-62
抄録 (和) 高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす,しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ(RTN)といったMOSトランジスタの電気的特性ばらつきについて,一般的な長方形形状のトランジスタに加え,ソースとドレインのゲート幅が非対称な台形・八角形形状のトランジスタを用いて統計的解析を行った.ゲート形状が非対称なトランジスタではしきい値電圧ばらつき(σVth)がゲート面積により一意に定まらないことや,RTNの強度がソース側のW(WS)に依存すること,しきい値電圧ばらつきとRTNの相関関係等の考察から,飽和領域で動作させたトランジスタの特性はソース側の影響を強く受けることを多数のトランジスタの統計的解析により実証した. 
(英) In this paper, a statistical analysis of electric characteristics variabilities such as threshold voltage variability and random telegraph noise (RTN) which become obstacle to high accuracy analog circuit devices was discussed. In the measurement, trapezoidal and octagonal transistors which have asymmetric gate widths at source and drain side were used in addition to conventional rectangular transistors. From the statistical analysis of the asymmetric gate transistors, it is experimentally verified that the electric characteristics variability of the transistors driven in the saturation region are greatly influenced by the source side.
キーワード (和) MOSFET / しきい値電圧ばらつき / ランダムテレグラフノイズ / 統計解析 / 非対称ゲート構造 / / /  
(英) MOSFET / threshold voltage variability / random telegraph noise / statistical analysis / asymmetric gate structure / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 241, SDM2018-62, pp. 51-56, 2018年10月.
資料番号 SDM2018-62 
発行日 2018-10-10 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2018-62 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-62

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-10-17 - 2018-10-18 
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Statistical Analysis of Electric Characteristics Variability Using MOSFETs with Asymmetric Source and Drain 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(2)(和/英) しきい値電圧ばらつき / threshold voltage variability  
キーワード(3)(和/英) ランダムテレグラフノイズ / random telegraph noise  
キーワード(4)(和/英) 統計解析 / statistical analysis  
キーワード(5)(和/英) 非対称ゲート構造 / asymmetric gate structure  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 市野 真也 / Shinya Ichino / イチノ シンヤ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 間脇 武蔵 / Takezo Mawaki / マワキ タケゾウ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2018-10-18 14:00:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2018-62 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.241 
ページ範囲 pp.51-56 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2018-10-10 


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