講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-10-18 14:00
ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 ○市野真也・寺本章伸・黒田理人・間脇武蔵・諏訪智之・須川成利(東北大) SDM2018-62 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-62 |
抄録 |
(和) |
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす,しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ(RTN)といったMOSトランジスタの電気的特性ばらつきについて,一般的な長方形形状のトランジスタに加え,ソースとドレインのゲート幅が非対称な台形・八角形形状のトランジスタを用いて統計的解析を行った.ゲート形状が非対称なトランジスタではしきい値電圧ばらつき(σVth)がゲート面積により一意に定まらないことや,RTNの強度がソース側のW(WS)に依存すること,しきい値電圧ばらつきとRTNの相関関係等の考察から,飽和領域で動作させたトランジスタの特性はソース側の影響を強く受けることを多数のトランジスタの統計的解析により実証した. |
(英) |
In this paper, a statistical analysis of electric characteristics variabilities such as threshold voltage variability and random telegraph noise (RTN) which become obstacle to high accuracy analog circuit devices was discussed. In the measurement, trapezoidal and octagonal transistors which have asymmetric gate widths at source and drain side were used in addition to conventional rectangular transistors. From the statistical analysis of the asymmetric gate transistors, it is experimentally verified that the electric characteristics variability of the transistors driven in the saturation region are greatly influenced by the source side. |
キーワード |
(和) |
MOSFET / しきい値電圧ばらつき / ランダムテレグラフノイズ / 統計解析 / 非対称ゲート構造 / / / |
(英) |
MOSFET / threshold voltage variability / random telegraph noise / statistical analysis / asymmetric gate structure / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 241, SDM2018-62, pp. 51-56, 2018年10月. |
資料番号 |
SDM2018-62 |
発行日 |
2018-10-10 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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