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講演抄録/キーワード
講演名 2018-10-18 14:35
1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ電圧変調による大信号光応答の理論解析
後藤優征吉冨翔一山中健太郎西山伸彦荒井滋久東工大
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抄録 (和) トランジスタレーザ(TL)は、従来の半導体レーザと異なり3電気端子を有する構造ため、端子接続の組み合わせにより複数の変調方法が可能である。これまでに当研究室では1.3 µm帯TLの室温連続発振を実現してきた。今回、電圧変調による大信号の光出力応答シミュレーションを行った。活性層内電流の過渡的な変化を考慮することで、これまでの実デバイスで観測された光出力の過渡的な変化の再現に成功した。そして、理論解析をもとに高速電圧変調に向けた最適なコレクタ-ベース間容量(CBC)、および高い消光比の確保のために最低限必要な端面反射率(R1×R2)を求めた。 
(英)
キーワード (和) トランジスタレーザ / 半導体レーザ / 電圧変調 / 大信号応答 / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 253, LQE2018-59, pp. 35-40, 2018年10月.
資料番号 LQE2018-59 
発行日 2018-10-11 (OCS, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 OPE LQE OCS  
開催期間 2018-10-18 - 2018-10-19 
開催地(和) 佐賀県教育会館 第1会議室 
開催地(英)  
テーマ(和) 超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2018-10-OPE-LQE-OCS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ電圧変調による大信号光応答の理論解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英)  
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) トランジスタレーザ /  
キーワード(2)(和/英) 半導体レーザ /  
キーワード(3)(和/英) 電圧変調 /  
キーワード(4)(和/英) 大信号応答 /  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 優征 / / ゴトウ ユウセイ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
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第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉冨 翔一 / / ヨシトミ ショウイチ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
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第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 健太郎 / /
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 伸彦 / / ニシヤマ ノブヒコ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 滋久 / / アライ シゲヒサ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
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講演者
発表日時 2018-10-18 14:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OCS2018-34,IEICE-OPE2018-70,IEICE-LQE2018-59 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.251(OCS), no.252(OPE), no.253(LQE) 
ページ範囲 pp.35-40 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-OCS-2018-10-11,IEICE-OPE-2018-10-11,IEICE-LQE-2018-10-11 


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