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講演抄録/キーワード
講演名 2018-10-17 16:35
[招待講演]低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ
畑山祥吾須藤祐司安藤大輔小池淳一東北大SDM2018-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-56
抄録 (和) 相変化メモリは次世代型の不揮発性メモリとして注目されている. 現在, 実用化されている相変化材料はGe-Sb-Te化合物(GST)であるが, GSTは動作エネルギーが大きく, アモルファス相の耐熱性が低いという課題がある. 本研究で着目した新規相変化材料Cr2Ge2Te6(CrGT)は, 一般的な相変化材料とは異なり, 低抵抗のアモルファス相と高抵抗の結晶相を有する相変化材料である. CrGTを用いた相変化メモリの動作特性を調査したところ, GSTと比較して動作エネルギーを90%以上低減でき, かつGSTよりも動作速度が速いことがわかった. 
(英) Phase change random access memory (PCRAM) has attracted much attention as one of next generation non-volatile memory. Ge-Sb-Te compounds (GST) are widely studied as practical phase change material (PCM). However, GST-based PCRAM shows high operation energy, and low data retention ability because of low thermal stability of its amorphous phase. Therefore, we are focusing on a new PCM of Cr2Ge2Te6 (CrGT) to replace GST. CrGT shows an inverse resistance change between low-resistance amorphous and high-resistance crystalline phases which is totally different from conventional PCMs. In this study, the memory operation properties of CrGT-based PCRAM were investigated. It was found that the operation energy of CrGT-based PCRAM is more than 90% lower than that of GST-based PCRAM and its operation speed is faster than GST-based PCRAM.
キーワード (和) 相変化メモリ / 相変化材料 / アモルファス / 結晶化 / Cr-Ge-Te / 逆抵抗変化 / /  
(英) phase change memory / phase change material / amorphous / crystallization / Cr-Ge-Te / inverse resistance change / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 241, SDM2018-56, pp. 21-26, 2018年10月.
資料番号 SDM2018-56 
発行日 2018-10-10 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2018-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-56

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-10-17 - 2018-10-18 
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Cr2Ge2Te6-Based PCRAM Showing Low Resistance Amorphous and High Resistance Crystalline States 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 相変化メモリ / phase change memory  
キーワード(2)(和/英) 相変化材料 / phase change material  
キーワード(3)(和/英) アモルファス / amorphous  
キーワード(4)(和/英) 結晶化 / crystallization  
キーワード(5)(和/英) Cr-Ge-Te / Cr-Ge-Te  
キーワード(6)(和/英) 逆抵抗変化 / inverse resistance change  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑山 祥吾 / Shogo Hatayama / ハタヤマ ショウゴ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 須藤 祐司 / Yuji Sutou / ストウ ユウジ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 安藤 大輔 / Daisuke Ando / アンドウ ダイスケ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小池 淳一 / Junichi Koike / コイケ ジュンイチ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2018-10-17 16:35:00 
発表時間 50 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2018-56 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.241 
ページ範囲 pp.21-26 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2018-10-10 


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