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講演抄録/キーワード
講演名 2018-08-24 14:30
Siフォトニクス外部共振器量子ドット波長可変レーザの1um帯への応用
松本 敦梅沢俊匡山本直克NICT)・北 智洋早大R2018-33 EMD2018-36 CPM2018-36 OPE2018-63 LQE2018-52 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2018-36 CPM2018-36 OPE2018-63 LQE2018-52
抄録 (和) 近年、通信容量が急激に増大し、特にモバイルやデータセンタ等の中短距離通信トラフィックの増加が顕著である。近距離ではファイバ増幅器を用いる必要性がないため、O-band帯のⅢ-Ⅴ族化合物半導体を用いた発光素子とSiフォトニクスによるパッシブ光素子とのヘテロジニアス光集積回路の研究・報告が盛んに行われている。これまで我々はO-bandのみならず λ< 1100 nmの波長帯(T-band)についても今後の通信容量の増大を見据えて検討を行ってきた。 本稿では、1 um帯において、Siフォトニクスによる外部共振器フィルタを用いた量子ドット(QD: Quantum dot)波長可変レーザを作製したので報告する。 
(英) In recent years, information and communication traffic have exponentially increased. So far, we have paid attention not only to the O-band but also the 1-um band. We have also studied quantum dot (QD) optical devices and heterogeneous integrated devices with QD and Si photonics-based PICs utilizing the O-band, such as QD heterogeneous tunable laser diodes (LD). In this paper, we present a Si-photonics-based QD heterogeneous tunable laser emitting in the 1-um band.
キーワード (和) 量子ドット / シリコンフォトニクス / 1um帯 / / / / /  
(英) semiconductor quantum dot / Si photonics / 1 um-band / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 189, LQE2018-52, pp. 83-86, 2018年8月.
資料番号 LQE2018-52 
発行日 2018-08-16 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード R2018-33 EMD2018-36 CPM2018-36 OPE2018-63 LQE2018-52 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2018-36 CPM2018-36 OPE2018-63 LQE2018-52

研究会情報
研究会 EMD LQE OPE CPM R  
開催期間 2018-08-23 - 2018-08-24 
開催地(和) 小樽経済センター 
開催地(英) Otaru Camber of Commerce & Industry 
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2018-08-EMD-LQE-OPE-CPM-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Siフォトニクス外部共振器量子ドット波長可変レーザの1um帯への応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Application of Si-Photonics-Based Quantum Dot External cavity Tunable Laser for the 1um-band 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子ドット / semiconductor quantum dot  
キーワード(2)(和/英) シリコンフォトニクス / Si photonics  
キーワード(3)(和/英) 1um帯 / 1 um-band  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 敦 / Atsushi Matsumoto / マツモト アツシ
第1著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications technology (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅沢 俊匡 / Toshimasa Umezawa / ウメザワ トシマサ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ
第3著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications technology (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 北 智洋 / Tomohiro Kita / キタ トモヒロ
第4著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
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講演者
発表日時 2018-08-24 14:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-R2018-33,IEICE-EMD2018-36,IEICE-CPM2018-36,IEICE-OPE2018-63,IEICE-LQE2018-52 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.185(R), no.186(EMD), no.187(CPM), no.188(OPE), no.189(LQE) 
ページ範囲 pp.83-86 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-R-2018-08-16,IEICE-EMD-2018-08-16,IEICE-CPM-2018-08-16,IEICE-OPE-2018-08-16,IEICE-LQE-2018-08-16 


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