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講演抄録/キーワード
講演名 2018-08-10 11:05
Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応
藤森敬典千田陽介増田悠右氏家夏樹遠田義晴弘前大
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抄録 (和) 20 nm~100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 空加熱を行い、電子線照射効果を走査型電子顕微鏡(SEM)や原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べた。
フッ酸処理後 の表面を AFM で観察すると、電子線照射領域にSiO_{2}が還元されてできたと思われる Si ドットが見られた。
真空加熱後では、電子線照射領域にSiO_{2}が熱脱離した正方形状の小孔(ボイド)がSEMにより観測された。
これら結果は、電子線照射により還元されたSiが形成され、これを核として SiO_{2}膜が選択的に熱脱離し、本来脱離が起こらない加熱温度でもボイドが形成されることを示している。 
(英) Irradiation effects of electron beam on 20-100-nm-thick SiO_{2} layer on Si(100) have been investigated by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM).
After electron beam irradiation, the sample was dipped in hydrofluoric acid to remove the SiO_{2} layer, and then observed by AFM.
The AFM images showed Si dots at irradiation areas, indicating reduction of SiO_{2} layer.
Annealing of the sample was also carried out in vacuum after the irradiation.
After annealing, small square pits (voids) were observed only at the irradiation areas by SEM.
This indicates the SiO_{2} layer is selectively desorbed due to the presence of the reduced Si formed by the irradiation, and consequently the void is formed even at low temperature.
キーワード (和) シリコン酸化膜 / 還元反応 / 電子線 / ボイド / 熱脱離 / / /  
(英) Silicon Dioxide / Reduction Reaction / Electron Beam / Void / Thermal Desorption / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 179, CPM2018-18, pp. 47-52, 2018年8月.
資料番号 CPM2018-18 
発行日 2018-08-02 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2018-08-09 - 2018-08-10 
開催地(和) 弘前大学文京町地区キャンパス 
開催地(英) Hirosaki Univ. 
テーマ(和) 電子部品・材料、一般 
テーマ(英) Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Reduction reaction of SiO2 layer on Si substrate by irradiation of electron beam 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン酸化膜 / Silicon Dioxide  
キーワード(2)(和/英) 還元反応 / Reduction Reaction  
キーワード(3)(和/英) 電子線 / Electron Beam  
キーワード(4)(和/英) ボイド / Void  
キーワード(5)(和/英) 熱脱離 / Thermal Desorption  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤森 敬典 / Keisuke Fujimori / フジモリ ケイスケ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 千田 陽介 / Yosuke Chida / チダ ヨウスケ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 悠右 / Yusuke Masuda / マスダ ユウスケ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 氏家 夏樹 / Natsuki Ujiie / ウジイエ ナツキ
第4著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル
第5著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者
発表日時 2018-08-10 11:05:00 
発表時間 20 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2018-18 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.179 
ページ範囲 pp.47-52 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2018-08-02 


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