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講演抄録/キーワード
講演名 2018-08-09 14:50
SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長
中澤日出樹成田舜基奈良友奎遠田義晴弘前大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 3ºオフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レーザー強度100 mJ/pulseおよび基板温度750ºCのときAlN薄膜は回転ドメインを含まず、結晶性と平坦性が最も良好となることがわかった。作製したAlN薄膜上にモノメチルシラン(CH_3SiH_3)を用いた化学気相成長法によりSiC低温バッファ層を形成後、レーザーアブレーション法によりSiC薄膜を成長した。その後、超高真空中においてSiC/AlN/Si(110)の高温アニールを行い、反射高速電子線回折およびX線光電子分光によりグラフェン形成のその場観察を行った。その結果、SiC/AlN/Si(110)上グラフェンに関する以前の報告に比べて、結晶性や平坦性が優れたグラフェンが得られることがわかった。 
(英) We have grown aluminum nitride (AlN) films on 3º off-axis Si(110) substrates by pulsed laser deposition (PLD), and investigated the effects of laser power and substrate temperature on the crystallinity and surface morphology of the AlN films. A fairly flat, high-quality AlN film was grown onto the off-axis Si(110) substrate at a laser power of 100 mJ/pulse and a substrate temperature of 750ºC, which contained no rotation domains. We grew a high-quality 3C-SiC film by PLD on a SiC interfacial buffer layer formed by chemical vapor deposition using monomethylsilane on the AlN film. We examined the structure and chemical bonding of graphene formed by annealing the SiC film at a high temperature in an ultra-high vacuum using in-situ reflection high-energy electron diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy. The crystallinity and surface roughness of the graphene were improved compared to those of the previously reported graphene formed on SiC/AlN/Si(110) substrates.
キーワード (和) レーザーアブレーション / 窒化アルミニウム / 炭化ケイ素 / グラフェン / / / /  
(英) Pulsed laser deposition / Aluminum nitride / Silicon carbide / Graphene / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 179, CPM2018-9, pp. 7-12, 2018年8月.
資料番号 CPM2018-9 
発行日 2018-08-02 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2018-08-09 - 2018-08-10 
開催地(和) 弘前大学文京町地区キャンパス 
開催地(英) Hirosaki Univ. 
テーマ(和) 電子部品・材料、一般 
テーマ(英) Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth of graphene on SiC/AlN/Si(110) substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition  
キーワード(2)(和/英) 窒化アルミニウム / Aluminum nitride  
キーワード(3)(和/英) 炭化ケイ素 / Silicon carbide  
キーワード(4)(和/英) グラフェン / Graphene  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 舜基 / Syunki Narita / ナリタ シュンキ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 奈良 友奎 / Yuki Nara / ナラ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル
第4著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者
発表日時 2018-08-09 14:50:00 
発表時間 20 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2018-9 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.179 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2018-08-02 


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