講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-08-09 14:10
強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計 ○小林正治・多川友作・バク ヒ・平本俊郎(東大) SDM2018-50 ICD2018-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-50 ICD2018-37 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 172, SDM2018-50, pp. 127-130, 2018年8月. |
資料番号 |
SDM2018-50 |
発行日 |
2018-07-31 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2018-50 ICD2018-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-50 ICD2018-37 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM ICD ITE-IST |
開催期間 |
2018-08-07 - 2018-08-09 |
開催地(和) |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
開催地(英) |
Hokkaido Univ., Graduate School of IST M Bldg., M151 |
テーマ(和) |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2018-08-SDM-ICD-IST |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Device and Process Design for HfO2-Based Ferroelectric Tunnel Junction Memory with Large Tunneling Electroresistance Effect and Multi-level Cell |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
多川 友作 / Yusaku Tagawa / タガワ ユウサク |
第2著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
バク ヒ / Mo Fei / バク ヒ |
第3著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
第4著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2018-08-09 14:10:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2018-50, ICD2018-37 |
巻番号(vol) |
vol.118 |
号番号(no) |
no.172(SDM), no.173(ICD) |
ページ範囲 |
pp.127-130 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2018-07-31 (SDM, ICD) |
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