電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2018-08-09 15:10
SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討
奈良友奎工藤あさひ中澤日出樹弘前大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3ºオフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモノメチルシラン(CH_3SiH_3; MMS)を用いてSiC低温バッファ層を形成し、さらにその上にSiCターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSiC薄膜を作製した。SiCバッファ層の形成条件を変化させてSiC成長を行い、SiC薄膜の結晶性および表面平坦性を評価した。その結果、SiCバッファ層形成時の基板温度が500ºCおよび550ºCの場合にSiC薄膜の表面粗さがより小さくなることがわかった。 
(英) We have grown aluminum nitride (AlN) films on 3° off-axis Si(110) substrates by pulsed laser deposition using an AlN target, and formed SiC interfacial buffer layers on the AlN layers by ultralow pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane (CH_3SiH_3) to grow SiC films on the low-temperature buffer layers by pulsed laser deposition using a SiC target. We formed the SiC buffer layers under different conditions, and investigated the crystallinity and surface morphology of the SiC films grown on the buffer layers. We successfully grew the SiC films with lower surface roughnesses on the buffer layers formed at substrate temperatures of 500 and 550°C.
キーワード (和) シリコンカーバイド / 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション / / / / /  
(英) Silicon carbide / Aluminum nitride / Pulsed laser deposition / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 179, CPM2018-10, pp. 13-16, 2018年8月.
資料番号 CPM2018-10 
発行日 2018-08-02 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2018-08-09 - 2018-08-10 
開催地(和) 弘前大学文京町地区キャンパス 
開催地(英) Hirosaki Univ. 
テーマ(和) 電子部品・材料、一般 
テーマ(英) Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of formation conditions of SiC buffer layers for SiC/SiC buffer layer/AlN/Si(110) multilayer structures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンカーバイド / Silicon carbide  
キーワード(2)(和/英) 窒化アルミニウム / Aluminum nitride  
キーワード(3)(和/英) レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 奈良 友奎 / Yuki Nara / ナラ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 あさひ / Asahi Kudo / クドウ アサヒ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2018-08-09 15:10:00 
発表時間 20 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2018-10 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.179 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-CPM-2018-08-02 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会