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講演抄録/キーワード
講演名 2018-08-09 13:45
SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2018-49 ICD2018-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-49 ICD2018-36
抄録 (和) ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,ストレスを複数回に分けて印加する手法を提案する.65nm技術で作製したFD SOTB 6T-SRAM デバイスマトリックスアレイ (DMA) TEGを用いて,従来のストレスを1回印加する手法と比較し,SRAMデータ保持電圧 (DRV) を,より効果的に低下できること確認した. bulk FETsはSOTB FETsよりVTHばらつきが大きいため,セルの安定性を修復するには,SOTB SRAMセルより大きなVTHシフトが必要になる.本研究では,bulk SRAMセルでも本手法の効果を実証した. 
(英) A new version applying multiple stress of the post fabrication SRAM self-improvement technique, which improves SRAM cell stability degraded due to random threshold voltage (VTH) variability, is proposed. It is demonstrated that, using a device matrix array (DMA) TEG with FD SOTB 6T SRAM cells fabricated by the 65 nm technology, the lowering of data retention voltage (DRV) is more effectively achieved than using the previously proposed single stress technique. Contrary to SOTB FETs with small variability, bulk FETs have larger variability and a larger VTH shift is required to improve the cell stability in bulk SRAM than in STOB SRAM. In this study, we also demonstrated the effectiveness of our method with the bulk SRAM.
キーワード (和) SRAM / ばらつき / セル安定性 / / / / /  
(英) SRAM / variability / cell stability / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 172, SDM2018-49, pp. 121-126, 2018年8月.
資料番号 SDM2018-49 
発行日 2018-07-31 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2018-49 ICD2018-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-49 ICD2018-36

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2018-08-07 - 2018-08-09 
開催地(和) 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School of IST M Bldg., M151 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of multiple stress application in post-fabrication cell stability self-improvement in SRAM cell array 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) ばらつき / variability  
キーワード(3)(和/英) セル安定性 / cell stability  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2018-08-09 13:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2018-49,IEICE-ICD2018-36 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.172(SDM), no.173(ICD) 
ページ範囲 pp.121-126 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2018-07-31,IEICE-ICD-2018-07-31 


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