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講演抄録/キーワード
講演名 2018-08-09 14:30
Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹大橋 遼弘前大)・横山 大田島圭一郎遠藤則史末光眞希東北大)・遠田義晴小林康之鈴木裕史・○中澤日出樹弘前大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光学的・機械的特性への窒素(N)添加効果について調べた。SiおよびNを共添加したDLC(Si-N-DLC)薄膜は窒素添加DLC(N-DLC)薄膜と比べて光学バンドギャップは大きかった。またSi-N-DLC薄膜の光学バンドギャップはN含有量の増加に伴い増加するのに対して、N-DLCの光学バンドギャップは減少した。また、Si-N-DLC/p型Siのヘテロ接合のI-V特性は整流性を示さなかったが、真空中ポストアニール後良好な整流特性を示した。 
(英) We have investigated the effects of nitrogen (N) doping on the chemical bonding states and the electrical, optical, and mechanical properties of Si-doped DLC (Si-DLC) films, which were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using H_2 as a dilution gas. Si/N codoped DLC (Si-N-DLC) films had higher optical gaps than N-doped DLC (N-DLC) films. We found that the optical bandgap of the Si-N-DLC films showed an increasing trend with increasing N content, while that of the N-DLC films showed an opposite trend. The I-V characteristics of the Si-N-DLC/p-Si heterojunctions were not rectifying. It was found that after annealing the Si-N-DLC films in a vacuum, the heterojunctions provided good rectifying characteristics.
キーワード (和) ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長 / ケイ素 / 窒素 / / / /  
(英) Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 179, CPM2018-8, pp. 1-6, 2018年8月.
資料番号 CPM2018-8 
発行日 2018-08-02 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2018-08-09 - 2018-08-10 
開催地(和) 弘前大学文京町地区キャンパス 
開催地(英) Hirosaki Univ. 
テーマ(和) 電子部品・材料、一般 
テーマ(英) Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effects of nitrogen doping on the properties of Si-doped DLC films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon  
キーワード(2)(和/英) プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition  
キーワード(3)(和/英) ケイ素 / Silicon  
キーワード(4)(和/英) 窒素 / Nitrogen  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 和樹 / Kazuki Nakamura / ナカムラ カズキ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大橋 遼 / Haruka Oohashi / オオハシ ハルカ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 大 / Tai Yokoyama / ヨコヤマ タイ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 田島 圭一郎 / Kei-ichiro Tajima / タジマ ケイイチロウ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 則史 / Norihumi Endo / エンドウ ノリフミ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル
第7著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi / コバヤシ ヤスユキ
第8著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki / スズキ ユウシ
第9著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第10著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者 10 
発表日時 2018-08-09 14:30:00 
発表時間 20 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2018-8 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.179 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2018-08-02 


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