お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2018-08-09 16:05
真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討
対馬和都滝田健介中澤日出樹弘前大)・俵 毅彦舘野功太章 国強後藤秀樹NTT)・池田高之水野誠一郎NTT-AT)・岡本 浩弘前大CPM2018-12 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2018-12
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 179, CPM2018-12, pp. 21-24, 2018年8月.
資料番号 CPM2018-12 
発行日 2018-08-02 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2018-12 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2018-12

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2018-08-09 - 2018-08-10 
開催地(和) 弘前大学文京町地区キャンパス 
開催地(英) Hirosaki Univ. 
テーマ(和) 電子部品・材料、一般 
テーマ(英) Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study on the formation mechanism of Bi-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) /  
キーワード(2)(和/英) /  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 対馬 和都 / Kazuto Tsushima / ツシマ カズト
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 滝田 健介 / Kensuke Takita / タキタ ケンスケ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 俵 毅彦 / Takehiko Tawara / タワラ タケヒコ
第4著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 舘野 功太 / Kouta Tateno / タテノ コウタ
第5著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 章 国強 / Guoqiang Zhang / ザン ゴウチャン
第6著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 秀樹 / Hideki Gotoh / ゴトウ ヒデキ
第7著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 高之 / Takayuki Ikeda / イケダ タカユキ
第8著者 所属(和/英) エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジー株式会社 (略称: NTT-AT)
NTT Advanced Technology Corporation (略称: NTT-AT)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 水野 誠一郎 / Seiichiro Mizuno / ミズノ セイイチロウ
第9著者 所属(和/英) エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジー株式会社 (略称: NTT-AT)
NTT Advanced Technology Corporation (略称: NTT-AT)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 浩 / Hiroshi Okamoto / オカモト ヒロシ
第10著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2018-08-09 16:05:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2018-12 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.179 
ページ範囲 pp.21-24 
ページ数
発行日 2018-08-02 (CPM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会