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講演抄録/キーワード
講演名 2018-08-07 14:25
急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2018-31 ICD2018-18
抄録 (和) µW級の電力で機能する整流器を構築するためには,新たなダイオード技術の開発が必要である.従来のp-n接合ダイオード,ショットキーバリアダイオードは,共にqV/kBT伝導機構に支配され,電流-電圧特性が指数関数的に上昇するが,微小な電圧範囲で見るとほぼ直線となり極低電圧振幅の交流信号を整流することは不可能である.本研究では,我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ”PN-Body Tied SOI-FET” (PNBT) を使い極低電圧整流実験を行った。その結果,PNBTを用いたダイオードでは入力振幅が10mVと極低電圧であっても,半波整流が初めて確認された.この結果は,極低電圧での整流が必要なRFエネルギー・ハーベスティング,極低電圧センシングなどへの応用が期待される. 
(英) In order to construct a rectifier that function with µW power, it is necessary to develop a new diode technology. The conventional p-n junction diodes and Schottky barrier diodes are dominated by the qV/kBT conduction mechanism the current-voltage characteristics rise exponentially. It is impossible to rectify the AC input with ultralow voltage amplitude. In this study, we focused on “PN-Body Tied SOI-FET” (PNBT) with steep SS proposed in our laboratory and conducted a rectification experiment by setting the input amplitude of the sinewave to 10mV. In the diode by PNBT, perfect half-wave rectification was confirmed even when the input amplitude was 10mV. It is promising for small voltage rectification on RF energy harvesting and sensing.
キーワード (和) RF Energy Harvesting / SOI-FET / Subthreshold Slope / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 172, SDM2018-31, pp. 31-34, 2018年8月.
資料番号 SDM2018-31 
発行日 2018-07-31 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2018-31 ICD2018-18

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2018-08-07 - 2018-08-09 
開催地(和) 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School of IST M Bldg., M151 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Experiment of Ultralow Voltage Rectification by Super Steep SS "PN-Body Tied SOI-FET" 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) RF Energy Harvesting /  
キーワード(2)(和/英) SOI-FET /  
キーワード(3)(和/英) Subthreshold Slope /  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 百瀬 駿 / Shun Momose / モモセ シュン
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 拓弥 / Takuya Yamada / ヤマダ タクヤ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第4著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊東 健治 / Kenji Itoh / イトウ ケンジ
第5著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ
第6著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 康夫 / Yasuo Arai / アライ ヤスオ
第7著者 所属(和/英) 高エネルギー加速器研究機構 (略称: 高エネルギー加速器研究機構)
High Energy Accelerator Research Organization (略称: KEK)
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講演者
発表日時 2018-08-07 14:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2018-31,IEICE-ICD2018-18 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.172(SDM), no.173(ICD) 
ページ範囲 pp.31-34 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2018-07-31,IEICE-ICD-2018-07-31 


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