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講演抄録/キーワード
講演名 2018-07-12 14:20
シリコン光プラットフォーム上のInP-SOAハイブリッド実装技術
松本 武倉橋輝雄富士通研)・鴻池遼太郎鈴木恵治郎谷澤 健産総研)・植竹理人高林和雅富士通研)・池田和浩河島 整産総研)・秋山 傑関口茂昭富士通研
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抄録 (和) 光パスネットワーク実現のキーデバイスである大規模Si光スイッチのオンチップ光損失を補償するため、光半導体増幅器 (SOA)をSi光プラットフォーム上にハイブリッド集積する技術を開発した。高効率結合と実装トレランス拡大のため、SOA上に幅テーパ導波路構造のスポットサイズ変換器 (SSC)、Si光プラットフォーム上にSiONセカンドコア型SSCを形成した。そして、Si光プラットフォーム上に実装精度±1 um以内でフリップチップボンディング (FCB)実装する技術を開発し、15 dBのインライン光増幅動作およびSOA搭載4x4 Si光スイッチのロスレス動作を達成した。 
(英) We investigated hybrid-integration technologies of semiconductor optical amplifiers (SOAs) on Si optical platforms for optical loss compensation of large-scale Si optical switches which are key devices in optical pass networks. For efficient coupling and large alignment tolerance, we adopted width-tapered spot-size converters (SSCs) on SOAs. On Si optical platforms, we used SiON dual-core SSCs for the coupling to SOAs. We developed precise flip-chip bonding (FCB) technologies of SOAs on Si optical platforms within 1-um alignment accuracy, and achieved in-line optical amplification of 15 dB and loss-less operation of 4x4 Si optical switches with SOA.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / ハイブリッド集積 / フリップチップボンディング / Si光スイッチ / / / /  
(英) Silicon Photonics / Hybrid Integration / Flip-Chip Bonding / Silicon Optical Switch / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 129, LQE2018-23, pp. 13-16, 2018年7月.
資料番号 LQE2018-23 
発行日 2018-07-05 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2018-07-12 - 2018-07-13 
開催地(和) 北海道大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 受光素子,変調器,レーザ応用,センシング応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2018-07-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン光プラットフォーム上のInP-SOAハイブリッド実装技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Hybrid-Integration Technologies of InP-SOA on Silicon Optical Platform 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon Photonics  
キーワード(2)(和/英) ハイブリッド集積 / Hybrid Integration  
キーワード(3)(和/英) フリップチップボンディング / Flip-Chip Bonding  
キーワード(4)(和/英) Si光スイッチ / Silicon Optical Switch  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 武 / Takeshi Matsumoto / マツモト タケシ
第1著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 倉橋 輝雄 / Teruo Kurahashi / クラハシ テルオ
第2著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鴻池 遼太郎 / Ryotaro Konoike / コウノイケ リョウタロウ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 恵治郎 / Keijiro Suzuki / スズキ ケイジロウ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷澤 健 / Ken Tanizawa / タニザワ ケン
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 植竹 理人 / Ayahito Uetake / ウエタケ アヤヒト
第6著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 高林 和雅 / Kazumasa Takabayashi / タカバヤシ カズマサ
第7著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 和浩 / Kazuhiro Ikeda / イケダ カズヒロ
第8著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 河島 整 / Hitoshi Kawashima / カワシマ ヒトシ
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋山 傑 / Suguru Akiyama / アキヤマ スグル
第10著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 関口 茂昭 / Shigeaki Sekiguchi / セキグチ シゲアキ
第11著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab)
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講演者
発表日時 2018-07-12 14:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-LQE2018-23 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.129 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-LQE-2018-07-05 


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