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講演抄録/キーワード
講演名 2018-06-25 13:30
[依頼講演]反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ~ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ~
松本 翼金沢大)・加藤宙光牧野俊晴小倉政彦竹内大輔産総研)・猪熊孝夫金沢大)・山崎 聡産総研)・徳田規夫金沢大
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抄録 (和) ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、SiにおけるSiO2のような良質な自然酸化膜が存在しないため、その実現は困難であると考えられてきた。近年、低濃度リンドーピング技術とダイヤモンド表面をOHで終端できるウェットアニール技術を組み合わせることで、ダイヤモンドMOS界面の品質改善に成功し、反転層チャネルMOSFET実現に至った。ここでは、MOSFETの材料としてのダイヤモンドの紹介からMOS界面におけるウェットアニール処理の効果、そして、MOSFETの現状と課題について報告する。 
(英) We fabricated inversion channel diamond MOSFET with normally off characteristics. The diamond MOSFET with the inversion channel had not been reported until we reported the MOSFET, because diamond do not have a native oxide such as SiO2 in the Si MOSFET. The success was obtained by a high quality diamond MOS interface using a light phosphorus doping technique and a wet annealing technique for OH termination. In this report, we will discuss diamond as a material of MOSFET, the effects of the wet annealing technique in diamond MOS interface, and current status and issues of the diamond MOSFET.
キーワード (和) ダイヤモンド / MOSFET / 界面準位 / 反転層 / / / /  
(英) diamond / MOSFET / interface state / inversion / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 110, SDM2018-20, pp. 19-22, 2018年6月.
資料番号 SDM2018-20 
発行日 2018-06-18 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-06-25 - 2018-06-25 
開催地(和) 名古屋大学 VBL3F 
開催地(英) Nagoya Univ. VBL3F 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 
サブタイトル(和) ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 
タイトル(英) Inversion channel diamond MOSFET 
サブタイトル(英) Formation of diamond MOS interface by wet annealing 
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンド / diamond  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 界面準位 / interface state  
キーワード(4)(和/英) 反転層 / inversion  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 翼 / Tsubasa Matsumoto / マツモト ツバサ
第1著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 宙光 / Hiromitsu Kato / カトウ ヒロミツ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 俊晴 / Toshiharu Makino / マキノ トシハル
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小倉 政彦 / Masahiko Ogura / オグラ マサヒコ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 大輔 / Daisuke Takeuchi / タケウチ ダイスケ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 猪熊 孝夫 / Takao Inokuma / イノクマ タカオ
第6著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山崎 聡 / Satoshi Yamasaki / ヤマサキ サトシ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 徳田 規夫 / Norio Tokuda / トクダ ノリオ
第8著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
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講演者
発表日時 2018-06-25 13:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2018-20 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.110 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2018-06-18 


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