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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-06-25 11:40 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大）  SDM2018-18 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-18 |
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| 抄録 | （和） | GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN界面が必須である。熱酸化やスパッタ成膜により形成したGaOx/GaN界面は良好な電気特性を示すが、GaOx膜厚制御性や平坦性に課題があった。本研究では、SiO2ゲート絶縁膜堆積時に形成されるGaOx界面層を利用して良質かつ急峻なMOS界面を実現する一方で、Post-deposition annealing（PDA）処理によるSiO2層中へのGa拡散が絶縁破壊耐圧を劣化させることを明らかにした。また急速熱処理によるPDAがGa拡散を抑制し、高い絶縁破壊耐圧と優れた界面特性を両立することを示した。 |
| （英） | A high-quality gate insulator together with low interface states is indispensable for GaN-based power MOSFETs. We have recently reported low interface state density of GaOx/GaN structures formed by thermal oxidation or sputter deposition, while surface morphology of GaOx layer was concerned. In this work, plasma-enhanced CVD-deposition of SiO2 films on GaN surface forming GaOx interlayers was carried out. Although the fabricated SiO2/GaOx/GaN structures with post-deposition annealing exhibited low interface state densities, Ga diffusion into SiO2 layers severely degraded the insulating properties. We also demonstrated that the PDA based on rapid thermal processing is beneficial in suppressing Ga diffusion, leading to high-quality interface together with superior insulating property. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム（GaN） / SiO2ゲート絶縁膜, / MOSデバイス / 界面 / 信頼性 / / / |
| （英） | GaN / SiO2 / MOS devices / interface / reliability / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 110, SDM2018-18, pp. 11-14, 2018年6月. | |
| 資料番号 | SDM2018-18 | |
| 発行日 | 2018-06-18 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-18 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-06-25 - 2018-06-25 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of SiO2/GaN Interface for High-performance GaN MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム（GaN） / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | SiO2ゲート絶縁膜, / SiO2 |
| キーワード(3)（和/英） | MOSデバイス / MOS devices |
| キーワード(4)（和/英） | 界面 / interface |
| キーワード(5)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細井 卓治 / Tauji Hosoi / ホソイ タクジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka Unviersity (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 高寛 / Takahiro Yamada / ヤマダ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka Unviersity (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野崎 幹人 / Mikito Nozaki / ノザキ ミキト |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka Unviersity (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 言諸 / Tokio Takahashi / タカハシ トキオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 永 / Hisashi Yamada / ヤマダ ヒサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 三聡 / Mitsuaki Shimizu / シミズ ミツアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉越 章隆 / Akitaka Yoshigoe / ヨシゴエ アキタカ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka Unviersity (略称： Osaka Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ |
| 第9著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka Unviersity (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-06-25 11:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-18 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.110 |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-06-18 (SDM) |
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