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講演抄録/キーワード
講演名 2018-05-24 14:45
Growth of high quality InSb channel layer with InxGa1-xSb heteroepitaxial films on Si(111)
A. A. Mohammad Monzur-Ul-AkhirMasayuki MoriKoichi MaezawaUniversity of ToyamaED2018-17 CPM2018-4 SDM2018-12
抄録 (和) InSb has met the requirements of high-performance channel material with faster response towards ultra-fast and very low power devices with its superior properties for CMOS technology. The single crystalline films of InSb and GaSb on the same Si substrate is yet to be reported. Our research group has reported Al2O3/InSb/Si(111) based nMOSFETs, single crystalline GaSb thin film with narrow FWHM on Si(111)?√3x√3-Ga, effective GaSb buffer layer and single crystalline InGaSb film on GaSb/Si(111)?√3x√3-Ga. Here in continuation, we report smooth, single crystalline InSb thin film channel layer with InxGa1-xSb (x=90,85,80 &75%) heteroepitaxial films on Si(111). 
(英) InSb has met the requirements of high-performance channel material with faster response towards ultra-fast and very low power devices with its superior properties for CMOS technology. The single crystalline films of InSb and GaSb on the same Si substrate is yet to be reported. Our research group has reported Al2O3/InSb/Si(111) based nMOSFETs, single crystalline GaSb thin film with narrow FWHM on Si(111)?√3x√3-Ga, effective GaSb buffer layer and single crystalline InGaSb film on GaSb/Si(111)?√3x√3-Ga. Here in continuation, we report smooth, single crystalline InSb thin film channel layer with InxGa1-xSb (x=90,85,80 &75%) heteroepitaxial films on Si(111).
キーワード (和) Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) / Scanning electron microscopy (SEM) / X-ray scattering, diffraction, and reflection / / / / /  
(英) Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) / Scanning electron microscopy (SEM) / X-ray scattering, diffraction, and reflection / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 58, ED2018-17, pp. 15-18, 2018年5月.
資料番号 ED2018-17 
発行日 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2018-17 CPM2018-4 SDM2018-12

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2018-05-24 - 2018-05-24 
開催地(和) 豊橋技科大VBL 
開催地(英) Toyohashi Univ. of Tech. (VBL) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英) Crystal growth, characterization, and devices (compound semiconductors, Si, SiGe, opto-electrical materials), and others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2018-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth of high quality InSb channel layer with InxGa1-xSb heteroepitaxial films on Si(111) 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) / Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)  
キーワード(2)(和/英) Scanning electron microscopy (SEM) / Scanning electron microscopy (SEM)  
キーワード(3)(和/英) X-ray scattering, diffraction, and reflection / X-ray scattering, diffraction, and reflection  
キーワード(4)(和/英) /  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) A. A. Mohammad Monzur-Ul-Akhir / A. A. Mohammad Monzur-Ul-Akhir /
第1著者 所属(和/英) University of Toyama (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: University of Toyama)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Masayuki Mori / Masayuki Mori /
第2著者 所属(和/英) University of Toyama (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: University of Toyama)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Koichi Maezawa / Koichi Maezawa /
第3著者 所属(和/英) University of Toyama (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: University of Toyama)
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講演者
発表日時 2018-05-24 14:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2018-17,IEICE-CPM2018-4,IEICE-SDM2018-12 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) 
ページ範囲 pp.15-18 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2018-05-17,IEICE-CPM-2018-05-17,IEICE-SDM-2018-05-17 


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