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講演抄録/キーワード
講演名 2018-05-24 15:25
GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価
堀切文正成田好伸吉田丈洋サイオクスED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13
抄録 (和) フーリエ変換赤外分光(FT-IR)を用いて、自立GaN基板上GaNホモエピタキシャル層の非破壊膜厚測定を行った。FT-IRにより求めたエピ層の膜厚は、断面のカソードルミネッセンス強度マッピング像および SIMSから求めた値と良く一致した。FT-IRのスペクトルには、波数1650 cm-1付近にC=N結合に起因するピークが見られ、GaNエピ中の低濃度炭素を非破壊で検知できる可能性が示唆された。 
(英) The film thickness of homo epitaxial layers on freestanding GaN substrate was characterized by using Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). The estimated thickness by FT-IR has good agreement with that of SIMS and cross-sectional cathodoluminescence (CL) intensity mapping image. The spectra of the FT-IR shows the peak around 1650 cm-1, which corresponds to C=N bonding. Thus it indicates that FT-IR has a capability for C impurity detection of 1015 cm-3 orders in GaN film.
キーワード (和) GaN / FT-IR / 膜厚測定 / 多層膜 / / / /  
(英) GaN / FT-IR / Film thickness measurement / Multi layers / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 58, ED2018-18, pp. 19-22, 2018年5月.
資料番号 ED2018-18 
発行日 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2018-05-24 - 2018-05-24 
開催地(和) 豊橋技科大VBL 
開催地(英) Toyohashi Univ. of Tech. (VBL) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英) Crystal growth, characterization, and devices (compound semiconductors, Si, SiGe, opto-electrical materials), and others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2018-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) The characterization of GaN homo-epitaxial layers grown on GaN substrates by using FT-IR 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) FT-IR / FT-IR  
キーワード(3)(和/英) 膜厚測定 / Film thickness measurement  
キーワード(4)(和/英) 多層膜 / Multi layers  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀切 文正 / Fumimasa Horikiri / ホリキリ フミマサ
第1著者 所属(和/英) 株式会社サイオクス (略称: サイオクス)
Sciocs Co. Ltd. (略称: Sciocs)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 好伸 / Yoshinobu Narita / ナリタ ヨシノブ
第2著者 所属(和/英) 株式会社サイオクス (略称: サイオクス)
Sciocs Co. Ltd. (略称: Sciocs)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 丈洋 / Takehiro Yoshida / ヨシダ タケヒロ
第3著者 所属(和/英) 株式会社サイオクス (略称: サイオクス)
Sciocs Co. Ltd. (略称: Sciocs)
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講演者
発表日時 2018-05-24 15:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2018-18,IEICE-CPM2018-5,IEICE-SDM2018-13 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2018-05-17,IEICE-CPM-2018-05-17,IEICE-SDM-2018-05-17 


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