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講演抄録/キーワード
講演名 2018-05-24 16:15
トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減
八子基樹東大)・石川靖彦豊橋技科大)・和田一実マサチューセッツ工科大ED2018-20 CPM2018-7 SDM2018-15
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文献情報 信学技報, vol. 118, no. 60, SDM2018-15, pp. 29-32, 2018年5月.
資料番号 SDM2018-15 
発行日 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2018-20 CPM2018-7 SDM2018-15

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2018-05-24 - 2018-05-24 
開催地(和) 豊橋技科大VBL 
開催地(英) Toyohashi Univ. of Tech. (VBL) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英) Crystal growth, characterization, and devices (compound semiconductors, Si, SiGe, opto-electrical materials), and others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Reduction of threading dislocation density in Ge layers on Si by introducing tunnel-shaped voids 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 八子 基樹 / Motoki Yako / ヤコ モトキ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 一実 / Kazumi Wada /
第3著者 所属(和/英) マサチューセッツ工科大学 (略称: マサチューセッツ工科大)
Massachusetts Institute of Technology (略称: Massachusetts Inst. Tech.)
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講演者
発表日時 2018-05-24 16:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2018-20,IEICE-CPM2018-7,IEICE-SDM2018-15 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2018-05-17,IEICE-CPM-2018-05-17,IEICE-SDM-2018-05-17 


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