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講演抄録/キーワード
講演名 2018-05-24 13:55
Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions
mansoureh keikhaeiMasaya IchimuraNITED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10
抄録 (和) Cu-O thin films are deposited at low pH (< 6), low and high temperatures (10?C and 60?C) using the cathodic electrochemical deposition method. The effects of the deposition current densities are studied in a range including current densities high enough to electrolyze water and generate hydrogen bubbles. The influences of deposition variables on film composition, structural, morphological and optical properties are investigated. Auger electron spectroscopy results show fabrication of both Cu2O and CuO, which is consistent with the results of Raman spectroscopy. X-ray diffraction patterns show (111) and (220) peaks related to Cu2O for the samples deposited at 60?C, whereas the samples deposited at the low temperature are almost amorphous. 
(英) Cu-O thin films are deposited at low pH (< 6), low and high temperatures (10?C and 60?C) using the cathodic electrochemical deposition method. The effects of the deposition current densities are studied in a range including current densities high enough to electrolyze water and generate hydrogen bubbles. The influences of deposition variables on film composition, structural, morphological and optical properties are investigated. Auger electron spectroscopy results show fabrication of both Cu2O and CuO, which is consistent with the results of Raman spectroscopy. X-ray diffraction patterns show (111) and (220) peaks related to Cu2O for the samples deposited at 60?C, whereas the samples deposited at the low temperature are almost amorphous.
キーワード (和) electrochemical deposition, / copper oxide / thin films / water electrolysis / / / /  
(英) electrochemical deposition, / copper oxide / thin films / water electrolysis / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 58, ED2018-15, pp. 5-10, 2018年5月.
資料番号 ED2018-15 
発行日 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2018-05-24 - 2018-05-24 
開催地(和) 豊橋技科大VBL 
開催地(英) Toyohashi Univ. of Tech. (VBL) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英) Crystal growth, characterization, and devices (compound semiconductors, Si, SiGe, opto-electrical materials), and others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2018-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) electrochemical deposition, / electrochemical deposition,  
キーワード(2)(和/英) copper oxide / copper oxide  
キーワード(3)(和/英) thin films / thin films  
キーワード(4)(和/英) water electrolysis / water electrolysis  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) mansoureh keikhaei / mansoureh keikhaei /
第1著者 所属(和/英) Nagoya institute of technology (略称: 日本工大)
Nagoya institute of technology (略称: NIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Masaya Ichimura / Masaya Ichimura /
第2著者 所属(和/英) Nagoya institute of technology (略称: 日本工大)
Nagoya institute of technology (略称: NIT)
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講演者
発表日時 2018-05-24 13:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2018-15,IEICE-CPM2018-2,IEICE-SDM2018-10 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) 
ページ範囲 pp.5-10 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2018-05-17,IEICE-CPM-2018-05-17,IEICE-SDM-2018-05-17 


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