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講演抄録/キーワード
講演名 2018-05-16 15:00
データキャッシュに対する不揮発性パワーゲーティング適用方法の検討と評価
秋葉爽輔宇佐美公良芝浦工大VLD2018-2
抄録 (和) 近年,CPU全体の消費エネルギーにおいて,キャッシュメモリの消費エネルギーが占める割合が増大している.不揮発性パワーゲーティング(PG)とは,キャッシュを構成するSRAMに不揮発性素子MTJを適用して不揮発化することで,PG中にデータを保持しながらキャッシュのリーク電力を削減する技術である.しかし,ライトバック方式のデータキャッシュについてPGを行うと,メインメモリに書き込まれるべき情報が失われ,キャッシュコヒーレンシの維持ができないという問題がある.本研究では,Decayミスの参照局所性を基に記憶ラインを選択する,データキャッシュに適用可能な不揮発性PG手法を検討した.そして,提案手法によるリーク電力の削減について評価を行った. 
(英) In the whole of CPU, the proportion of energy consumption of the cache is increasing. Non-volatile Power Gating(NVPG) is a technique of reducing the leakage power of the cache while keeping the stored data by applying the nonvolatile element MTJ to the SRAM that is constituting the cache. However, when PG is applied to data cache with Write-back writing system, there is a problem that information to be written in the main memory is lost and cache coherency cannot be maintained. In this paper, we examine the NVPG method applicable to the data cache that selects storage line based on decay miss density. Moreover, we evaluate the reduction of leakage power by the proposed method.
キーワード (和) パワーゲーティング / MTJ / データキャッシュ / Cache decay / / / /  
(英) Power-Gating / MTJ / data cache / Cache decay / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 29, VLD2018-2, pp. 19-24, 2018年5月.
資料番号 VLD2018-2 
発行日 2018-05-09 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2018-2

研究会情報
研究会 VLD IPSJ-SLDM  
開催期間 2018-05-16 - 2018-05-16 
開催地(和) 北九州国際会議場 
開催地(英) Kitakyushu International Conference Center 
テーマ(和) システム設計および一般 
テーマ(英) System Design, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2018-05-VLD-SLDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) データキャッシュに対する不揮発性パワーゲーティング適用方法の検討と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Non-volatile Power Gating for Data Cache with Dynamic Line-selection 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パワーゲーティング / Power-Gating  
キーワード(2)(和/英) MTJ / MTJ  
キーワード(3)(和/英) データキャッシュ / data cache  
キーワード(4)(和/英) Cache decay / Cache decay  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋葉 爽輔 / Sosuke Akiba / アキバ ソウスケ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
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講演者
発表日時 2018-05-16 15:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2018-2 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.29 
ページ範囲 pp.19-24 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2018-05-09 


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