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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-04-27 14:50 銅ピラー接続Si/GaNチップ内蔵3次元実装S帯送信モジュール ○川崎健吾・桑田英悟・石橋秀則・矢尾知博・石田 清・前田和弘・柴田博信・津留正臣・森 一富・下沢充弘・福本 宏（三菱電機）  WPT2018-5 MW2018-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2018-5 |
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| 抄録 | （和） | ここではSiGeチップとGaNチップを3次元実装した小型・高出力S帯送信モジュールの試作結果を報告する．GaNチップは送信モジュールの最終段となる高出力増幅器を備え，樹脂基板に内蔵される．SiGeチップは移相器および可変利得増幅器を備え，GaNチップ内蔵樹脂基板の上にフリップチップ実装される．試作したモジュールサイズは7mm×7mmである．試作した送信モジュールのS帯におけるRMS移相量誤差と振幅誤差は，それぞれ1.3度と0.31dBであり，飽和出力電力(Psat)は32dBmであった． |
| （英） | A SiGe chip and GaN chip packaged Tx module in S-band is represented. SiGe and GaN with Redistribution Layer (RDL) are integrated in 3D package. A chip embedding substrate is adopted and the GaN chip consisting of a power amplifier is embedded in the substrate. SiGe chip consisting a phase shifter and a variable gain amplifier is flip-chip bonded on the GaN chip embedded substrate. The package area of the Tx module is 7mm by 7mm. The measured RMS phase error rate of 1.3 degree and RMS amplitude error rate of 0.31dB are obtained in S-band, respectively. The maximum output power of 32dBm is achieved in S-band. | |
| キーワード | （和） | パッケージ / 銅ピラー / チップ内蔵 / MMIC / SiGe HBT / GaN HEMT / 送信モジュール / |
| （英） | Package / Cu Pillar / Chip embedding substrate / MMIC / SiGe HBT / GaN HEMT / Tx module / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 18, MW2018-5, pp. 19-23, 2018年4月. | |
| 資料番号 | MW2018-5 | |
| 発行日 | 2018-04-20 (WPT, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | WPT2018-5 MW2018-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2018-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW WPT |
| 開催期間 | 2018-04-27 - 2018-04-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館B2F 1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Building |
| テーマ（和） | 電力伝送／マイクロ波・一般 |
| テーマ（英） | Wireless Power Transfer / microwave, general |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2018-04-MW-WPT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 銅ピラー接続Si/GaNチップ内蔵3次元実装S帯送信モジュール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | S-band Tx Module with Cu Pillar Interconnection Si/GaN 3D Chip Embedding Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パッケージ / Package |
| キーワード(2)（和/英） | 銅ピラー / Cu Pillar |
| キーワード(3)（和/英） | チップ内蔵 / Chip embedding substrate |
| キーワード(4)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(5)（和/英） | SiGe HBT / SiGe HBT |
| キーワード(6)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(7)（和/英） | 送信モジュール / Tx module |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 健吾 / Kengo Kawasaki / カワサキ ケンゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata / クワタ エイゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石橋 秀則 / Hidenori Ishibashi / イシバシ ヒデノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢尾 知博 / Tomohiro Yao / ヤオ トモヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 清 / Kiyoshi Ishida / イシダ キヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 和弘 / Kazuhiro Maeda / マエダ カスヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 博信 / Hironobu Shibata / シバタ ヒロノブ |
| 第7著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津留 正臣 / Masaomi Tsuru / ツル マサオミ |
| 第8著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 一富 / Kazutomi Mori / モリ カズトミ |
| 第9著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下沢 充弘 / Mitsuhiro Shimozawa / シモザワ ミツヒロ |
| 第10著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福本 宏 / Hiroshi Fukumoto / フクモト ヒロシ |
| 第11著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-04-27 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | WPT2018-5, MW2018-5 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.17(WPT), no.18(MW) |
| ページ範囲 | pp.19-23 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-04-20 (WPT, MW) |
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