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講演抄録/キーワード
講演名 2018-04-20 13:50
[招待講演]結晶性酸化物半導体FETを用いたメモリLSI
小山 潤関 貴子八窪裕人大下 智古谷一馬石津貴彦熱海知昭安藤善範松林大介加藤 清奥田 高半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研
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抄録 (和) c軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたFETは6yA/μm(85℃)という極めて小さいオフ電流特性をもち、このFETを使用することで極低消費電力のメモリ回路を構成することができる。SELでは60nmの結晶性酸化物半導体プロセスを用いてダイナミックロジック回路を含む1kbitの単極性メモリ回路を開発し、VDD=3.3Vにおいて書き込みパルス幅/読み出しアクセス時間20ns/45ns、書きこみ/読み出しエネルギー97.9pJ/123.6pJ、書き換え耐性1014回を達成した。 
(英) FETs fabricated with a c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide semiconductor (CAAC-IGZO) have an extremely low off-state current of 6 yA/m at 85C. Use of this FET enables memory circuits with extremely low power consumption. SEL has developed a 1kbit n-channel only memory module including dynamic logic circuits using a 60nm crystalline oxide semiconductor fabrication technology. This memory module achieves write pulse width and read access time of 20 ns and 45 ns, respectively, at VDD  3.3 V. The write and read energies are 97.9 pJ and 123.6 pJ, respectively, and it endures 1014 write cycles.
キーワード (和) 結晶性酸化物半導体 / CAAC-IGZO / オフ電流 / n-ch単極性メモリ回路 / ダイナミックロジック回路 / / /  
(英) Crystalline Oxide Semiconductor / CAAC-IGZO / off-state current / n-channel only memory module / dynamic logic circuits / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 10, ICD2018-12, pp. 47-52, 2018年4月.
資料番号 ICD2018-12 
発行日 2018-04-12 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2018-04-19 - 2018-04-20 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術(深層学習、ニューロモルフィック、セキュリティ)および一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2018-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 結晶性酸化物半導体FETを用いたメモリLSI 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Memory LSI using crystalline oxide semiconductor FET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 結晶性酸化物半導体 / Crystalline Oxide Semiconductor  
キーワード(2)(和/英) CAAC-IGZO / CAAC-IGZO  
キーワード(3)(和/英) オフ電流 / off-state current  
キーワード(4)(和/英) n-ch単極性メモリ回路 / n-channel only memory module  
キーワード(5)(和/英) ダイナミックロジック回路 / dynamic logic circuits  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 潤 / Jun Koyama / コヤマ ジュン
第1著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 関 貴子 / Takako Seki / セキ タカコ
第2著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 八窪 裕人 / Yuto Yakubo / ヤクボ ユウト
第3著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大下 智 / Satoru Ohshita / オオシタ サトル
第4著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 古谷 一馬 / Kazuma Furutani / フルタニ カズマ
第5著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 石津 貴彦 / Takahiko Ishizu / イシズ タカヒコ
第6著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 熱海 知昭 / Tomoaki Atsumi / アツミ トモアキ
第7著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 安藤 善範 / Yoshinori Ando / アンドウ ヨシノリ
第8著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 松林 大介 / Daisuke Matsubayashi / マツバヤシ ダイスケ
第9著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 清 / Kiyoshi Kato / カトウ キヨシ
第10著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥田 高 / Takashi Okuda / オクダ タカシ
第11著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 昌宏 / Masahiro Fujita / フジタ マサヒロ
第12著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 山﨑 舜平 / Shunpei Yamazaki / ヤマザキ シュンペイ
第13著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
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講演者
発表日時 2018-04-20 13:50:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2018-12 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.10 
ページ範囲 pp.47-52 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2018-04-12 


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