講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-04-13 15:00
ドレイン電流によるMOSFETに埋め込まれたナノ構造のサイズと位置の識別 ○清水克真(北大)・上羽陽介・北村 満・大八木康之(大日本印刷)・法元盛久(コンパス・トゥーワン)・竪 直也(九大)・成瀬 誠(NICT)・松本 勉(横浜国大)・葛西誠也(北大) HWS2018-7 |
抄録 |
(和) |
レジスト倒壊現象を利用したナノ人工物メトリクスは高い耐クローン性を有する優秀な物理メトリクスとして期待されているが,利用するランダムナノパターンの微細さ故にその読取法が課題となっている.我々は簡便なパターンの読取法としてMOSFETを用いた電気的ナノ構造識別法を提案し検討を行っている.本手法はランダムナノパターンをMOSFETのゲート直下に埋め込み,ドレイン電流電圧特性からナノパターンの情報を間接的に読み出すものである.本稿ではMOSFETに埋め込まれたナノ構造のサイズと位置を変化させ,それぞれの場合におけるドレイン電流の変化に関してデバイスシミュレータを用いて検証した結果について述べる. |
(英) |
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キーワード |
(和) |
ナノ人工物メトリクス / PUF / / / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 3, HWS2018-7, pp. 35-39, 2018年4月. |
資料番号 |
HWS2018-7 |
発行日 |
2018-04-06 (HWS) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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