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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-04-07 14:15 InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用 ○曲 勇作・牧野久雄・橋本慎輔・濵田賢一朗・増田健太郎・古田 守（高知工科大）  SDM2018-8 OME2018-8 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-8 OME2018-8 |
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| 抄録 | （和） | In–Ga–Zn–O (IGZO)と酸化銀(AgOX)の酸化物ヘテロ接合は一般的な金属-酸化物半導体接合より良好なSchottky特性を示すことが報告されているがその起源は不明な点も多く、界面物性の理解と制御はデバイス応用の観点からも重要である。本研究ではCrKα(5415 eV)X線源を用いた硬X線光電子分光法を用い、IGZO/AgOX界面でのバンドベンディングおよび電子状態とSchottky特性との関連を評価した。また、IGZO/AgOXショットキー接合をゲート電極に用いたフレキシブルMES-FETに関しても報告する。 |
| （英） | Oxide heterojunction of the In–Ga–Zn–O (IGZO) and the silver oxide (AgOX) has been reported to exhibit better Schottky characteristics than conventional metal–amorphous oxide semiconductor junctions. To the vest of our knowledge, the origin of Schottky properties of InGaZnO/AgOX hetero-interface has not been reported in detail. In this study, we investigated the physical properties of AgOX and the electronic states at IGZO/AgOX interface by the hard X-ray photoelectron spectroscopy with a CrKα (5415 eV) X-ray source. | |
| キーワード | （和） | InGaZnOx(IGZO) / 酸化銀(AgOX) / Schottkyダイオード / IGZO/AfOX界面 / 金属半導体電界効果トランジスタ(MES-FET) / フレキシブルデバイス / / |
| （英） | InGaZnOx(IGZO) / Silver-oxide / Schottky diode / IGZO/AfOX interface / MES-FET / Flexible device / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 1, SDM2018-8, pp. 33-36, 2018年4月. | |
| 資料番号 | SDM2018-8 | |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-8 OME2018-8 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-8 OME2018-8 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2018-04-06 - 2018-04-07 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Origin of Schottky properties in InGaZnOX/AgOX hetero-interface and its application to flexible device. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnOx(IGZO) / InGaZnOx(IGZO) |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化銀(AgOX) / Silver-oxide |
| キーワード(3)（和/英） | Schottkyダイオード / Schottky diode |
| キーワード(4)（和/英） | IGZO/AfOX界面 / IGZO/AfOX interface |
| キーワード(5)（和/英） | 金属半導体電界効果トランジスタ(MES-FET) / MES-FET |
| キーワード(6)（和/英） | フレキシブルデバイス / Flexible device |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 曲 勇作 / Yusaku Magari / マガリ ユウサク |
| 第1著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧野 久雄 / Hisao Makino / マキノ ヒサオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 慎輔 / Shinsuke Hashimoto / ハシモト シンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濵田 賢一朗 / Kenichiro Hamada / ハマダ ケンイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増田 健太郎 / Kentaro Masuda / マスダ ケンタロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 守 / Mamoru Furuta / フルタ マモル |
| 第6著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-04-07 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-8, OME2018-8 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) |
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