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講演抄録/キーワード
講演名 2018-03-08 16:40
[招待講演]FePt合金系エピタキシャル薄膜の結晶配向と表面平坦性の制御
二本正昭大竹 充中大
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抄録 (和) 高い磁気異方性(Ku)を持つL10-FePt系合金薄膜は、高密度磁気記録媒体への応用に向けて積極的な研究開発が行われている。次世代の記録媒体応用では、10 nm以下の極薄薄膜を対象に結晶配向、規則度、膜平坦性を制御することが必要となる。この材料は、不規則構造(A1相)から規則構造(L10相)への相変態を伴い、高Ku特性実現ではL10相の高規則度を実現する必要があり、高温熱処理(600℃程度)が必要である。本研究では、上記条件を満たす薄膜形成法を明らかにすることを目的に、(001)方位単結晶基板を用いた薄膜エピタキシャル成長技術を活用してA1からL10相への相変態の過程を高分解能透過電子顕微鏡で詳細に調べた。この結果、(1) A1-FePt(001)膜では基板との格子不整合によって結晶格子が面内方向に拡張し歪んでいること、(2) 面内歪が保たれた状態で規則化させることでc軸を垂直方向に持つL10-FePt(001)結晶を形成できること、(3)膜凝集により膜内歪分布が変化するとc軸を面内方向に持つL10-FePt(100), (010)結晶が混在すること、(4) 表面エネルギーの大きな基板を用いるとc軸が垂直方向に制御された表面平滑性の良い極薄のL10-FePt(001)膜が得られること、などが明らかになった。 
(英) Effects of film formation process condition on L10-ordered FePt film structure are investigated by high-resolution transmission electron microscopy (TEM) for FePt thin films prepared on (001) oriented single-crystal substrates. The film structures associated with phase transformation from disordered A1 to ordered L10 phase are studied in atomic scale. The TEM observation has shown that the crystal lattice of A1-FePt film on MgO(001) substrate is strained in the lateral direction to substrate surface, and by annealing, the film structure varies to L10-ordered phase consisting of L10(001) variant with the c-axis aligned perpendicular. FePt film in a sample of L10-FePt(2 nm)/VN(001) is consisting of L10-(001) variant, whereas FePt film in a L10-FePt(2-nm average thickness)/MgO(001) sample includes variants of L10(100),(010) with the c-axis lying in-plane in addition to L10(001) variant. The lattice mismatch with substrate material is decreased by introduction of misfit dislocation and by lattice bending in L10-FePt crystal. The variant structures are influenced by the lattice strain in A1-FePt film during the L10-crystal nucleation stage at high temperature annealing process. Based on the experimental results, a model to explain the phase transformation from A1 to L10 involving nucleation and growth of L10-crystal is proposed.
キーワード (和) L10規則合金 / A1不規則相 / FePt薄膜 / エピタキシャル成長 / 磁化容易軸 / 表面平坦性 / /  
(英) L10-ordered phase / A1-disordered phase / FePt thin film / epitaxial growth / c-axis / surface roughness / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, 2018年3月.
資料番号  
発行日 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 CPM ED EID SDM ICD MRIS QIT SCE 
開催期間 2018-03-08 - 2018-03-08 
開催地(和) 東レ総合研修センター 
開催地(英)  
テーマ(和) 回路デバイス境界技術領域合同研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2018-03-CPM-ED-EID-SDM-ICD-MRIS-QIT-SCE-OME-EMD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) FePt合金系エピタキシャル薄膜の結晶配向と表面平坦性の制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Tailoring of Crystal Orientation and Surface Flatness for L10-ordered FePt-based Epitaxial Magnetic Thin Film 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) L10規則合金 / L10-ordered phase  
キーワード(2)(和/英) A1不規則相 / A1-disordered phase  
キーワード(3)(和/英) FePt薄膜 / FePt thin film  
キーワード(4)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxial growth  
キーワード(5)(和/英) 磁化容易軸 / c-axis  
キーワード(6)(和/英) 表面平坦性 / surface roughness  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
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講演者
発表日時 2018-03-08 16:40:00 
発表時間 50 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 IEICE-EMD2017-78,IEICE-MR2017-49,IEICE-SCE2017-49,IEICE-EID2017-51,IEICE-ED2017-123,IEICE-CPM2017-143,IEICE-SDM2017-123,IEICE-ICD2017-128,IEICE-OME2017-72 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.492(EMD), no.493(MR), no.494(SCE), no.495(EID), no.496(ED), no.497(CPM), no.498(SDM), no.499(ICD), no.500(OME) 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EMD-2018-03-01,IEICE-MR-2018-03-01,IEICE-SCE-2018-03-01,IEICE-EID-2018-03-01,IEICE-ED-2018-03-01,IEICE-CPM-2018-03-01,IEICE-SDM-2018-03-01,IEICE-ICD-2018-03-01,IEICE-OME-2018-03-01 


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