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講演抄録/キーワード
講演名 2018-03-08 13:50
[招待講演]Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望
原 直紀高橋 剛川野陽一中舍安宏富士通/富士通研
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抄録 (和) Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なトランジスタの材料として用いられてきた。本稿ではⅢ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの研究開発の現状と今後の展望をまとめる。 
(英) III-V Compound Semiconductors have superior properties, such as high electron mobility and high breakdown voltage, compared with Si, and suitable for high frequency applications. Present status and prospect of III-V RF devices are discussed.
キーワード (和) Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 高周波デバイス / / / / / /  
(英) III-V Compound Semiconductor Devices / RF Devices / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 496, ED2017-118, pp. 9-10, 2018年3月.
資料番号 ED2017-118 
発行日 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 CPM ED EID SDM ICD MRIS QIT SCE 
開催期間 2018-03-08 - 2018-03-08 
開催地(和) 東レ総合研修センター 
開催地(英)  
テーマ(和) 回路デバイス境界技術領域合同研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2018-03-CPM-ED-EID-SDM-ICD-MRIS-QIT-SCE-OME-EMD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Present status and prospect of III-V RF devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / III-V Compound Semiconductor Devices  
キーワード(2)(和/英) 高周波デバイス / RF Devices  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第1著者 所属(和/英) 富士通/富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第2著者 所属(和/英) 富士通/富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川野 陽一 / Yoichi Kawano / カワノ ヨウイチ
第3著者 所属(和/英) 富士通/富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第4著者 所属(和/英) 富士通/富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
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講演者
発表日時 2018-03-08 13:50:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-EMD2017-73,IEICE-MR2017-44,IEICE-SCE2017-44,IEICE-EID2017-46,IEICE-ED2017-118,IEICE-CPM2017-138,IEICE-SDM2017-118,IEICE-ICD2017-123,IEICE-OME2017-67 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.492(EMD), no.493(MR), no.494(SCE), no.495(EID), no.496(ED), no.497(CPM), no.498(SDM), no.499(ICD), no.500(OME) 
ページ範囲 pp.9-10 
ページ数 IEICE-2 
発行日 IEICE-EMD-2018-03-01,IEICE-MR-2018-03-01,IEICE-SCE-2018-03-01,IEICE-EID-2018-03-01,IEICE-ED-2018-03-01,IEICE-CPM-2018-03-01,IEICE-SDM-2018-03-01,IEICE-ICD-2018-03-01,IEICE-OME-2018-03-01 


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