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講演抄録/キーワード
講演名 2018-03-02 10:00
RFマグネトロンスパッタ法による高濃度Bi置換YIG擬単結晶膜の作製と光偏向素子への応用
沖田 涼水戸慎一郎東京高専CPM2017-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2017-129
抄録 (和) 磁気光学効果を用いた光偏向素子の大面積化を目指して,RFマグネトロンスパッタリング法を用いて高濃度Bi置換磁性ガーネット膜を作製し,光偏向素子への応用可能性を検討した.熱処理温度529℃において最も良好な磁気光学特性を示し,得られた膜は全面が結晶化した多磁区構造を持つ垂直磁化膜であった.しかし,レーザー光を透過させたところ回折の様子は見られず,保磁力も大きいため,より一層の検討を要する. 
(英) Highly bismuth substituted yttrium iron garnet (Bi:YIG) films were deposited on substrates by rf sputtering and investigated on applicability to magneto optic solid light deflector. The fabricated film showed good magneto-optical characteristics and crystallinity at the annealed temperature 529℃ and have perpendicular magnetization with multi-domain structure in which entirely crystallized. However, laser light transmitted through the film is not diffracted and large coercivity of the film is not suitable for control, and further investigation is required.
キーワード (和) 磁気光学効果 / 磁性ガーネット / 光偏向素子 / / / / /  
(英) magneto-optical effect / magnetic garnet / light deflector / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 461, CPM2017-129, pp. 53-56, 2018年3月.
資料番号 CPM2017-129 
発行日 2018-02-22 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2017-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2017-129

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2018-03-01 - 2018-03-02 
開催地(和) 東京工科大学 
開催地(英) Tokyo Univ. of Technol. 
テーマ(和) 電子部品材料若手ミーティング 
テーマ(英) CPM young researcher's meeting 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-03-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) RFマグネトロンスパッタ法による高濃度Bi置換YIG擬単結晶膜の作製と光偏向素子への応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Preparation of highly Bi-substituted YIG quasi-single crystal films by rf sputtering and its application to an optical deflector 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 磁気光学効果 / magneto-optical effect  
キーワード(2)(和/英) 磁性ガーネット / magnetic garnet  
キーワード(3)(和/英) 光偏向素子 / light deflector  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(6)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 沖田 涼 / Ryo Okita / オキタ リョウ
第1著者 所属(和/英) 東京工業高等専門学校 (略称: 東京高専)
National Institute of Technology, Tokyo college (略称: NITT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 水戸 慎一郎 / Shinichiro Mito / ミト シンイチロウ
第2著者 所属(和/英) 東京工業高等専門学校 (略称: 東京高専)
National Institute of Technology, Tokyo college (略称: NITT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-03-02 10:00:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2017-129 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.461 
ページ範囲 pp.53-56 
ページ数
発行日 2018-02-22 (CPM) 


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