講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-03-01 15:00
低温薄膜形成研究と原子層堆積 ○廣瀬文彦(山形大) CPM2017-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2017-121 |
抄録 |
(和) |
筆者はこれまでSiのエピタキシャル薄膜の低温成長の研究を端緒に、高品質な薄膜をいかに低温で作るかをテーマとした研究を30年間続けてきた。今日において、金属酸化物薄膜の室温原子層堆積技術を開発するに至り、その産業応用の研究を展開している。あらゆる電子デバイスは薄膜の接合であり、高品質な膜を低温で形成すること、急峻に制御された界面とすることはデバイスの性能向上と高信頼化に寄与する。本発表では、Siの低温エピタキシーと表面反応、表面界面をみることの重要さ、室温原子層堆積技術の開発について紹介する。 |
(英) |
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キーワード |
(和) |
薄膜成長 / 原子層堆積 / / / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 461, CPM2017-121, pp. 23-26, 2018年3月. |
資料番号 |
CPM2017-121 |
発行日 |
2018-02-22 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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