講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-03-01 15:45
結晶作製実験をふりかえって ○高野 泰(静岡大) CPM2017-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2017-123 |
抄録 |
(和) |
25 年間 III-V 族化合物半導体結晶の作製法を探究した。基板と格子定数が異なる層を結晶成長させることに従事した。成長層中に格子定数差に起因する貫通転位が発生するが、その数を減らすことが研究目的であっ た。結晶成長実験でなかなか芳しい結果は得られず、不安を抱えながら研究をした。想定外の結果が得られて、急 に研究が進み出したことがある。そのいくつかをここで紹介する。 |
(英) |
I studied crystal growth of III-V compound semiconductor materials for 25 years. I tried to reduce threading dislocations generated by lattice mismatch in heteroepitaxial layers using various growth conditions. Accidents or luck sometimes led me to crystal growth conditions for high-quality layers. I present the hopeless results before achieving good results. Next, I present what I tried without wanting anything. |
キーワード |
(和) |
結晶成長 / 結晶作製 / 貫通転位 / 格子不整合 / / / / |
(英) |
crystal growth / threading dislocation / lattice mismatch / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 461, CPM2017-123, pp. 31-32, 2018年3月. |
資料番号 |
CPM2017-123 |
発行日 |
2018-02-22 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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