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講演抄録/キーワード
講演名 2018-03-01 15:45
結晶作製実験をふりかえって
高野 泰静岡大
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抄録 (和) 25 年間 III-V 族化合物半導体結晶の作製法を探究した。基板と格子定数が異なる層を結晶成長させることに従事した。成長層中に格子定数差に起因する貫通転位が発生するが、その数を減らすことが研究目的であっ た。結晶成長実験でなかなか芳しい結果は得られず、不安を抱えながら研究をした。想定外の結果が得られて、急 に研究が進み出したことがある。そのいくつかをここで紹介する。 
(英) I studied crystal growth of III-V compound semiconductor materials for 25 years. I tried to reduce threading dislocations generated by lattice mismatch in heteroepitaxial layers using various growth conditions. Accidents or luck sometimes led me to crystal growth conditions for high-quality layers. I present the hopeless results before achieving good results. Next, I present what I tried without wanting anything.
キーワード (和) 結晶成長 / 結晶作製 / 貫通転位 / 格子不整合 / / / /  
(英) crystal growth / threading dislocation / lattice mismatch / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 461, CPM2017-123, pp. 31-32, 2018年3月.
資料番号 CPM2017-123 
発行日 2018-02-22 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2018-03-01 - 2018-03-02 
開催地(和) 東京工科大学 
開催地(英) Tokyo Univ. of Technol. 
テーマ(和) 電子部品材料若手ミーティング 
テーマ(英) CPM young researcher's meeting 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-03-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 結晶作製実験をふりかえって 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) My experience on crystal growth experiments 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 結晶成長 / crystal growth  
キーワード(2)(和/英) 結晶作製 / threading dislocation  
キーワード(3)(和/英) 貫通転位 / lattice mismatch  
キーワード(4)(和/英) 格子不整合 /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 泰 / Takano Yasusht / タカノ ヤスシ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者
発表日時 2018-03-01 15:45:00 
発表時間 35 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2017-123 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.461 
ページ範囲 pp.31-32 
ページ数 IEICE-2 
発行日 IEICE-CPM-2018-02-22 


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