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講演抄録/キーワード
講演名 2018-03-01 15:45
結晶作製実験をふりかえって
高野 泰静岡大CPM2017-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2017-123
抄録 (和) 25 年間 III-V 族化合物半導体結晶の作製法を探究した。基板と格子定数が異なる層を結晶成長させることに従事した。成長層中に格子定数差に起因する貫通転位が発生するが、その数を減らすことが研究目的であっ た。結晶成長実験でなかなか芳しい結果は得られず、不安を抱えながら研究をした。想定外の結果が得られて、急 に研究が進み出したことがある。そのいくつかをここで紹介する。 
(英) I studied crystal growth of III-V compound semiconductor materials for 25 years. I tried to reduce threading dislocations generated by lattice mismatch in heteroepitaxial layers using various growth conditions. Accidents or luck sometimes led me to crystal growth conditions for high-quality layers. I present the hopeless results before achieving good results. Next, I present what I tried without wanting anything.
キーワード (和) 結晶成長 / 結晶作製 / 貫通転位 / 格子不整合 / / / /  
(英) crystal growth / threading dislocation / lattice mismatch / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 461, CPM2017-123, pp. 31-32, 2018年3月.
資料番号 CPM2017-123 
発行日 2018-02-22 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2017-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2017-123

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2018-03-01 - 2018-03-02 
開催地(和) 東京工科大学 
開催地(英) Tokyo Univ. of Technol. 
テーマ(和) 電子部品材料若手ミーティング 
テーマ(英) CPM young researcher's meeting 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-03-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 結晶作製実験をふりかえって 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) My experience on crystal growth experiments 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 結晶成長 / crystal growth  
キーワード(2)(和/英) 結晶作製 / threading dislocation  
キーワード(3)(和/英) 貫通転位 / lattice mismatch  
キーワード(4)(和/英) 格子不整合 /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 泰 / Takano Yasusht / タカノ ヤスシ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-03-01 15:45:00 
発表時間 35分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2017-123 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.461 
ページ範囲 pp.31-32 
ページ数
発行日 2018-02-22 (CPM) 


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