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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-02-28 10:00 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性 ○浅井佑基・本庄周作・瘧師貴幸・福地 厚・有田正志・高橋庸夫（北大）  ED2017-104 SDM2017-104 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-104 SDM2017-104 |
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| 抄録 | （和） | 単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は，低消費電力・高機能性が実現可能な集積デバイスとして応用が期待されている．デバイス応用の観点からは，室温動作が必要であり，これを実現するためには10 nm以下のナノドットの形成，安定動作の実現が重要になる．我々はSETのナノドット作製法としてMgF2マトリクスにFeナノドットを分散させた単層グラニュラー薄膜に注目した．ナノギャップ電極間に単層グラニュラー膜を挟み込むことでSETを作製しその電気特性を評価した．作製した試料で最大210 Kにおいてクーロン振動が観測された．さらにクーロン振動の位相の時間的な変動(オフセットチャージドリフト)は同じ金属系SETとしてAl-Al2O3系で報告されている値と比べ極めて小さく，時間的に安定したクーロン振動特性を示した． |
| （英） | Single-electron transistor (SET) is the expected future integrated device with very low power consumption in operation and high functionality. For realistic device application, with a view to the room-temperature operation it is important to achieve nanodots less than 10 nm in size and stable characteristics. Here we used single-layer granular thin films in which Fe-nanodot arrays are dispersed in a MgF2 insulating matrix as a candidate structure for small-size metal nanodots. The SETs were fabricated by depositing the granular thin film between nano-gap electrodes and their electrical characteristics were investigated between 7 K and 300 K. We observed Coulomb oscillations even at 210 K. Furthermore, the offset charge drift, which is the time-dependent phase shift of Coulomb oscillations of the SET, was much smaller than that of a metal-based SET with an Al single-electron island and Al2O3 tunnel junctions. The results clearly indicate a high time stability of the Coulomb oscillations. | |
| キーワード | （和） | 単電子トランジスタ / グラニュラー薄膜 / クーロン振動 / オフセットチャージドリフト / / / / |
| （英） | Single-electron transistor / Granular thin film / Coulomb oscillation / Charge offset drift / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 453, ED2017-104, pp. 1-6, 2018年2月. | |
| 資料番号 | ED2017-104 | |
| 発行日 | 2018-02-21 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-104 SDM2017-104 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-104 SDM2017-104 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2018-02-28 - 2018-02-28 |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Centennial Hall, Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characteristics of Single-Electron Transistor Made of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Thin Films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子トランジスタ / Single-electron transistor |
| キーワード(2)（和/英） | グラニュラー薄膜 / Granular thin film |
| キーワード(3)（和/英） | クーロン振動 / Coulomb oscillation |
| キーワード(4)（和/英） | オフセットチャージドリフト / Charge offset drift |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 佑基 / Yuki Asai / アサイ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本庄 周作 / Shusaku Honjo / ホンジョウ シュウサク |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瘧師 貴幸 / Takayuki Gyakushi / ギャクシ タカユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福地 厚 / Atsushi Tsurumaki-Fukuchi / フクチ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-02-28 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-104, SDM2017-104 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.453(ED), no.454(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-02-21 (ED, SDM) |
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