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講演抄録/キーワード
講演名 2018-02-28 17:05
Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング
渡邉時暢富山大)・堀 匡寛小野行徳静岡大ED2017-115 SDM2017-115
抄録 (和) 0.3-300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し,100K以下の温度で測定されるチャージポンピング電流がバックゲート電圧の極性に強く依存することを見いだした.また,チャージポンピング電流におけるゲートパルス電圧の立ち上がり,立ち下り時間依存性がバックゲート電圧の極性によって異なることを見出した.これらの結果は,低温チャージポンピングをSOIデバイスに用いることで,伝導帯近傍と価電子帯近傍の界面欠陥状態密度を分離して計測できることを示唆している. 
(英) The charge pumping (CP) was applied to a SOI p-i-n diode at 0.3 – 300 K . We found that The CP current measured below 100 K is strongly dependent on the polarity of the backgate bias. The dependence of the CP current on the rising/falling time is found to differ depending on the polarity of the backgate bias. These results suggest that density of state profile near the conduction and valence-band edges in the SOI devices can be measured separately with the low temperature CP.
キーワード (和) チャージポンピング / 界面欠陥 / SOI / 低温 / / / /  
(英) charge pumping / interface defects / SOI / low-temperature / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 454, SDM2017-115, pp. 51-56, 2018年2月.
資料番号 SDM2017-115 
発行日 2018-02-21 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2017-115 SDM2017-115

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2018-02-28 - 2018-02-28 
開催地(和) 北海道大学百年記念会館 
開催地(英) Centennial Hall, Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low-temperature charge pumping on silicon-on-insulator devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) チャージポンピング / charge pumping  
キーワード(2)(和/英) 界面欠陥 / interface defects  
キーワード(3)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(4)(和/英) 低温 / low-temperature  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邉 時暢 / Tokinobu Watanabe / ワタナベ トキノブ
第1著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀 匡寛 / Masahiro Hori / ホリ マサヒロ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野 行徳 / Yukinori Ono / オノ ユキノリ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者
発表日時 2018-02-28 17:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2017-115,IEICE-SDM2017-115 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.453(ED), no.454(SDM) 
ページ範囲 pp.51-56 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2018-02-21,IEICE-SDM-2018-02-21 


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