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講演抄録/キーワード
講演名 2018-01-30 11:30
[招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2017-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-92
抄録 (和) 本研究では,酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた,Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果トランジスタ(TFET)を提案する.酸化物半導体とIV族半導体を積層したbilayer構造により,ゲートに対して垂直なトンネリングが活用可能であり,steep-slopeトランジスタとして高いポテンシャルを有することがTCADシミュレーションより明らかとなった.また本研究では,酸化亜鉛(ZnO)とSiやGeを用いた素子を作製し,初めての動作実証に成功した.不純物濃度の最適化,ゲートスタック構造作製プロセスの工夫などにより,8桁を上回る極めて大きなON/OFF電流比や,71 mV/dec.のサブスレショルドスロープ(S.S.)を達成した 
(英) A novel bilayer tunneling field effect transistor (TFET) employing an attractive material combination of oxide-semiconductors and group-IV-semiconductors with type-II energy band alignment is proposed. The potential as a steep-slope device is systematically studied by TCAD simulation. Furthermore, the TFET operation by using n-ZnO/p-Si and n-ZnO/p-Ge tunneling junctions combined with n-ZnO junction-less channels has been experimentally demonstrated, for the first time. The careful choice of doping concentration and gate stack engineering have realized record-high ON/OFF current ratio of ~108 among TFETs reported so far and minimum S.S. of ~71 mV/dec.
キーワード (和) トンネルFET / 酸化物半導体 / IV族半導体 / bilayer構造 / 縦型トンネリング / / /  
(英) Tunneling FET / Oxide semiconductor / Group-IV semiconductor / bilayer structure / vertical tunneling / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 427, SDM2017-92, pp. 5-8, 2018年1月.
資料番号 SDM2017-92 
発行日 2018-01-23 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-92

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-01-30 - 2018-01-30 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Proposal and demonstration of oxide-semiconductor/(Si, SiGe, Ge) bilayer tunneling field effect transistor with type-II energy band alignment 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) トンネルFET / Tunneling FET  
キーワード(2)(和/英) 酸化物半導体 / Oxide semiconductor  
キーワード(3)(和/英) IV族半導体 / Group-IV semiconductor  
キーワード(4)(和/英) bilayer構造 / bilayer structure  
キーワード(5)(和/英) 縦型トンネリング / vertical tunneling  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 裕章 / Hiroaki Matsui / マツイ ヒロアキ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田畑 仁 / Hitoshi Tabata / タバタ ヒトシ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2018-01-30 11:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-92 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.427 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2018-01-23 


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