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講演抄録/キーワード
講演名 2018-01-30 15:30
[招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
Xuan TianLun XuShigehisa ShibayamaTomonori NishimuraTakeaki YajimaUniv. of Tokyo)・Shinji MigitaAIST)・Akira ToriumiUniv. of TokyoSDM2017-96 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-96
抄録 (和) 5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studied. The thickness dependence of ferroelectric properties indicates that stable ferroelectric characteristics are maintained down to 5-nm-thick by taking care of doping and capping effects. Furthermore, the cycling performance shows no wake-up behavior, no obvious degradation after 10^8 cycles. 
(英) 5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studied. The thickness dependence of ferroelectric properties indicates that stable ferroelectric characteristics are maintained down to 5-nm-thick by taking care of doping and capping effects. Furthermore, the cycling performance shows no wake-up behavior, no obvious degradation after 10^8 cycles.
キーワード (和) Ferroelectric HfO2 / thickness dependence / field cycling reliability / / / / /  
(英) Ferroelectric HfO2 / thickness dependence / field cycling reliability / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 427, SDM2017-96, pp. 21-24, 2018年1月.
資料番号 SDM2017-96 
発行日 2018-01-23 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-96 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-96

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-01-30 - 2018-01-30 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-01-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Ferroelectric HfO2 / Ferroelectric HfO2  
キーワード(2)(和/英) thickness dependence / thickness dependence  
キーワード(3)(和/英) field cycling reliability / field cycling reliability  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田 璇 / Xuan Tian / デン セン
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 徐 倫 / Lun Xu / シュウ ルン
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 知紀 / Tomonori Nishimura / ニシムラ トモノリ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢嶋 赳彬 / Takeaki Yajima / ヤジマ タケアキ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 右田 真司 / Shinji Migita / シンジ ミギタ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2018-01-30 15:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2017-96 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.427 
ページ範囲 pp.21-24 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2018-01-23 


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