講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-01-30 11:05
SiC-MOSFETのスイッチング特性およびドレイン‐ゲート間相互作用の測定 ○谷口大樹・田中哲郎(鹿児島大) EE2017-68 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 424, EE2017-68, pp. 151-156, 2018年1月. |
資料番号 |
EE2017-68 |
発行日 |
2018-01-22 (EE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EE2017-68 |
研究会情報 |
研究会 |
EE |
開催期間 |
2018-01-29 - 2018-01-30 |
開催地(和) |
サテライトキャンパスおおいた (大分市) |
開催地(英) |
Satellite Campus Oita |
テーマ(和) |
回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連,一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
EE |
会議コード |
2018-01-EE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
SiC-MOSFETのスイッチング特性およびドレイン‐ゲート間相互作用の測定 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Measurement of Switching Characteristics and Drain-Gate Interaction of SiC-MOSFET |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
谷口 大樹 / Daiki Taniguchi / タニグチ ダイキ |
第1著者 所属(和/英) |
鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田中 哲郎 / Tetsuro Tanaka / タナカ テツロウ |
第2著者 所属(和/英) |
鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2018-01-30 11:05:00 |
発表時間 |
30分 |
申込先研究会 |
EE |
資料番号 |
EE2017-68 |
巻番号(vol) |
vol.117 |
号番号(no) |
no.424 |
ページ範囲 |
pp.151-156 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2018-01-22 (EE) |
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