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| 講演名 | 2018-01-30 13:30 ［招待講演］Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 ○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内 健（中大）  SDM2017-93 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-93 |
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| 抄録 | （和） | Near Data Computingでは, アプリケーションの一部を高速に処理するためにSSDコントローラー内に多くの処理装置やRAMを組み込む. 本論文では, Near Data Computingにおける高度な処理性能を生かす3D NAND型フラッシュメモリ向け高信頼化手法を提案する. 電荷捕獲方式の3D NAND型フラッシュメモリでは, トンネル酸化膜からの電荷のデトラップ及び電荷捕獲層で発生する垂直方向の電荷移動により, データ保持に伴い信頼性が低下する. これに対処するため, 隣接するメモリセルのしきい値電圧(Vth)を近づけるようにデータを変調することで, 垂直方向の電荷移動を抑制するVth Nearingを提案する. その結果, データ保持エラーを40%削減し, データを保持できる時間を2.8倍に増加させることが可能になった. |
| （英） | In the near data computing, a SSD controller embeds more processing units and RAMs to execute a part of application which requires high-speed processing. This paper proposes a reliability enhancement technique for 3D NAND flash, which makes full use of the advanced processing performance obtained by the near data computing. The reliability of 3D charge-trap NAND flash is degraded during the data-retention by the vertical charge de-trap from the tunnel oxide and the lateral charge migration in the charge trap layer. Vth Nearing is proposed to suppress the lateral charge migration of 3D NAND flash by modulating data so that threshold voltage (Vth) of adjacent cells become close. As a result, the data-retention errors decrease by 40%, the data-retention time increases by 2.8-times. | |
| キーワード | （和） | NAND型フラッシュメモリ / SSD / 信頼性 / 電荷移動 / / / / |
| （英） | NAND flash memory / SSD / reliability / charge migration / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 427, SDM2017-93, pp. 9-12, 2018年1月. | |
| 資料番号 | SDM2017-93 | |
| 発行日 | 2018-01-23 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-93 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-93 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-01-30 - 2018-01-30 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral Charge Migration Suppression Technique of 3D-NAND Flash by Vth Nearing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷移動 / charge migration |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 溝口 恭史 / Kyoji Mizoguchi / ミゾクチ キョウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小滝 翔平 / Shohei Kotaki / コタキ ショウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出口 慶明 / Yoshiaki Deguchi / デグチ ヨシアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-01-30 13:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-93 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.427 |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-01-23 (SDM) |
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