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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-01-25 16:35 SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 ○白鳥悠太・星 拓也・井田 実・松崎秀昭（NTT）  ED2017-96 MW2017-165 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-96 MW2017-165 |
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| 抄録 | （和） | 基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ（DHBT）を作製し，放熱性向上による高周波特性の改善を試みた．試作したSiC基板上DHBT（エミッタ寸法：0.35 μm x 6.0 μm）では，放熱性の向上により30 mA/μm2以上の高いコレクタ電流密度においても殆ど電流利得低下なく動作した．また，同様のエピ構造を有するInP基板上DHBTと比較して，高い電流利得遮断周波数及び最大発振周波数が得られた．これは接合温度の低減によりコレクタ中の電子速度が向上し，カーク効果が抑制されたためと考えられる．以上のことから，放熱性に優れるSiC基板上DHBT構造は，高電流注入密度化による高速化に有効である． |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | InP / ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ / SiC基板 / 基板接合 / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 412, ED2017-96, pp. 15-18, 2018年1月. | |
| 資料番号 | ED2017-96 | |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-96 MW2017-165 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-96 MW2017-165 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2018-01-25 - 2018-01-26 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下3階研修2号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | RF performance improvement of InP-based Double-Heterojunction Bipolar Transistors by SiC heat-spreading substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / |
| キーワード(2)（和/英） | ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ / |
| キーワード(3)（和/英） | SiC基板 / |
| キーワード(4)（和/英） | 基板接合 / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白鳥 悠太 / Yuta Shiratori / シラトリ ユウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星 拓也 / Takuya Hoshi / ホシ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井田 実 / Minoru Ida / イダ ミノル |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松崎 秀昭 / Hideaki Matsuzaki / マツザキ ヒデアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-01-25 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-96, MW2017-165 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.412(ED), no.413(MW) |
| ページ範囲 | pp.15-18 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) |
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