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講演抄録/キーワード
講演名 2018-01-25 16:35
SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善
白鳥悠太星 拓也井田 実松崎秀昭NTTED2017-96 MW2017-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-96 MW2017-165
抄録 (和) 基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT)を作製し,放熱性向上による高周波特性の改善を試みた.試作したSiC基板上DHBT(エミッタ寸法:0.35 μm x 6.0 μm)では,放熱性の向上により30 mA/μm2以上の高いコレクタ電流密度においても殆ど電流利得低下なく動作した.また,同様のエピ構造を有するInP基板上DHBTと比較して,高い電流利得遮断周波数及び最大発振周波数が得られた.これは接合温度の低減によりコレクタ中の電子速度が向上し,カーク効果が抑制されたためと考えられる.以上のことから,放熱性に優れるSiC基板上DHBT構造は,高電流注入密度化による高速化に有効である. 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) InP / ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ / SiC基板 / 基板接合 / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 412, ED2017-96, pp. 15-18, 2018年1月.
資料番号 ED2017-96 
発行日 2018-01-18 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2017-96 MW2017-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-96 MW2017-165

研究会情報
研究会 ED MW  
開催期間 2018-01-25 - 2018-01-26 
開催地(和) 機械振興会館地下3階研修2号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英) Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2018-01-ED-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) RF performance improvement of InP-based Double-Heterojunction Bipolar Transistors by SiC heat-spreading substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InP /  
キーワード(2)(和/英) ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ /  
キーワード(3)(和/英) SiC基板 /  
キーワード(4)(和/英) 基板接合 /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 白鳥 悠太 / Yuta Shiratori / シラトリ ユウタ
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 星 拓也 / Takuya Hoshi / ホシ タクヤ
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 実 / Minoru Ida / イダ ミノル
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松崎 秀昭 / Hideaki Matsuzaki / マツザキ ヒデアキ
第4著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
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講演者
発表日時 2018-01-25 16:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2017-96,IEICE-MW2017-165 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.412(ED), no.413(MW) 
ページ範囲 pp.15-18 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2018-01-18,IEICE-MW-2018-01-18 


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