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講演抄録/キーワード
講演名 2018-01-25 13:40
Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性
増田裕一郎長瀬 剛国枝 航光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2017-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-31
抄録 (和) Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法(CVD)により,c面サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)薄膜の成長を行い,主として発光特性に焦点をあて膜特性の評価を行った.まず、このCVDにおいても,GaNの高温成長前に約600 ℃で低温緩衝層を堆積させることにより,GaN膜の結晶性および発光特性の向上に繋がることがわかった.また,GaNの高温成長前にGaを先行供給して熱処理を施すことにより,低温緩衝層を堆積させることなく,GaN膜を平坦化できる可能性が示唆された.さらに,発光特性の改善を確認した. 
(英) We have grown gallium nitride (GaN) thin films on c-plane sapphire substrate by chemical vapor deposition (CVD) using Ga vapor and NH3. It was found that the improvement of crystalline and luminescence characteristics of the GaN films can be achieved for the CVD of this study by depositing a low temperature buffer layer at 600 ℃ before the growth of GaN at high temperature (1100 ℃). It was also suggested that the heat treatment in Ga vapor prior to high temperature growth enhances the lateral growth of GaN films without depositing a low temperature buffer layer, which resulted in the improvement of luminescence property.
キーワード (和) 窒化ガリウム / フォトルミネッセンス / 化学気相法 / 薄膜成長 / / / /  
(英) gallium nitride / photoluminescence / chemical vapor deposition / thin films growth / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 411, EID2017-31, pp. 5-8, 2018年1月.
資料番号 EID2017-31 
発行日 2018-01-18 (EID) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EID2017-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-31

研究会情報
研究会 EID ITE-IDY IEIJ-SSL SID-JC IEE-EDD  
開催期間 2018-01-25 - 2018-01-26 
開催地(和) 静岡大学 浜松キャンパス 
開催地(英) Shizuoka Univ., Hamamatsu 
テーマ(和) 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EID 
会議コード 2018-01-EID-IDY-SSL-JC-EDD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Luminescence characteristics of GaN films grown by chemical vapor deposition using Ga vapor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化ガリウム / gallium nitride  
キーワード(2)(和/英) フォトルミネッセンス / photoluminescence  
キーワード(3)(和/英) 化学気相法 / chemical vapor deposition  
キーワード(4)(和/英) 薄膜成長 / thin films growth  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 裕一郎 / Yuichiro Masuda / マスダ ユウイチロウ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長瀬 剛 / Tsuyoshi Nagase / ナガセ ツヨシ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 国枝 航 / Wataru Kunieda / クニエダ ワタル
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 光野 徹也 / Tetsuya Kouno / コウノ テツヤ
第4著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小南 裕子 / Hiroko Kominami / コミナミ ヒロコ
第5著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 和彦 / Kazuhiko Hara / ハラ カズヒコ
第6著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者
発表日時 2018-01-25 13:40:00 
発表時間 10 
申込先研究会 EID 
資料番号 IEICE-EID2017-31 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.411 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2018-01-18 


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