講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-01-25 13:40
Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2017-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-31 |
抄録 |
(和) |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法(CVD)により,c面サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)薄膜の成長を行い,主として発光特性に焦点をあて膜特性の評価を行った.まず、このCVDにおいても,GaNの高温成長前に約600 ℃で低温緩衝層を堆積させることにより,GaN膜の結晶性および発光特性の向上に繋がることがわかった.また,GaNの高温成長前にGaを先行供給して熱処理を施すことにより,低温緩衝層を堆積させることなく,GaN膜を平坦化できる可能性が示唆された.さらに,発光特性の改善を確認した. |
(英) |
We have grown gallium nitride (GaN) thin films on c-plane sapphire substrate by chemical vapor deposition (CVD) using Ga vapor and NH3. It was found that the improvement of crystalline and luminescence characteristics of the GaN films can be achieved for the CVD of this study by depositing a low temperature buffer layer at 600 ℃ before the growth of GaN at high temperature (1100 ℃). It was also suggested that the heat treatment in Ga vapor prior to high temperature growth enhances the lateral growth of GaN films without depositing a low temperature buffer layer, which resulted in the improvement of luminescence property. |
キーワード |
(和) |
窒化ガリウム / フォトルミネッセンス / 化学気相法 / 薄膜成長 / / / / |
(英) |
gallium nitride / photoluminescence / chemical vapor deposition / thin films growth / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 411, EID2017-31, pp. 5-8, 2018年1月. |
資料番号 |
EID2017-31 |
発行日 |
2018-01-18 (EID) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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