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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-01-25 13:30 c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 ○川原崎 匠・梅原直己・名嘉眞朝泰・小南裕子・原 和彦（静岡大）  EID2017-30 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2017-30 |
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| 抄録 | （和） | BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素（h-BN）薄膜の作製を行った。まず、基板加熱方式を管状ヒーターと基板部分の局所加熱を併用するハイブリッド型の基板加熱方式に変更し、原料の気相反応の抑制効果を示した。次に、初期核形成が薄膜の品質影響を詳細に調べるために、成長温度と供給ガス流量を変化させ初期核形成の状態を観察した。その結果、成長温度は成長速度と核密度に影響し、NH3の供給量は核形成の振る舞いに影響を与えることがわかった。 |
| （英） | The hexagonal boron nitride (h-BN) thin films were grown on a c-plane sapphire substrate by low pressure chemical vapor deposition using BCl3 and NH3 as sources. First, we investigated the effects of heating methods in order to suppress the gas phase reaction of sources. Next, in order to understand the influences of initial nucleation on the quality of the thin film, the situations of initial nucleation were investigated for the samples grown by changing the growth temperature and the supply rate of HN3 gas. We have found that the growth temperature influences the growth rate and density of nuclear, and the supply amount of NH3 influences the behavior of nucleation. | |
| キーワード | （和） | 六方晶窒化ホウ素 / CVD / 薄膜 / カソードルミネッセンス / / / / |
| （英） | hexagonal boron nitride / CVD / thin film / cathodoluminescence / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 411, EID2017-30, pp. 1-4, 2018年1月. | |
| 資料番号 | EID2017-30 | |
| 発行日 | 2018-01-18 (EID) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2017-30 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2017-30 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID ITE-IDY IEIJ-SSL SID-JC IEE-EDD |
| 開催期間 | 2018-01-25 - 2018-01-26 |
| 開催地（和） | 静岡大学 浜松キャンパス |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ., Hamamatsu |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2018-01-EID-IDY-SSL-JC-EDD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin Film Formation Mechanism of Hexagonal Boron Nitride on c-Plane Sapphire Substrates by Low Pressure CVD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / hexagonal boron nitride |
| キーワード(2)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(4)（和/英） | カソードルミネッセンス / cathodoluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川原崎 匠 / Takumi Kawarazaki / カワラザキ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅原 直己 / Naoki Umehara / ウメハラ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名嘉眞 朝泰 / Tomoyasu Nakama / ナカマ トモヤス |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小南 裕子 / Hiroko Kominami / コミナミ ヒロコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 和彦 / Kazuhiko Hara / ハラ カズヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-01-25 13:30:00 |
| 発表時間 | 10分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2017-30 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.411 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-01-18 (EID) |
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