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講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-22 14:00
IGZO薄膜を可変抵抗素子として用いた脳型集積システム
山川大樹柴山友輝生島恵典杉崎澄生龍谷大)・宮前義範ローム)・木村 睦龍谷大EID2017-19 SDM2017-80 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-19 SDM2017-80
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文献情報 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-80, pp. 39-44, 2017年12月.
資料番号 SDM2017-80 
発行日 2017-12-15 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2017-12-22 - 2017-12-22 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 
テーマ(英) Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) IGZO薄膜を可変抵抗素子として用いた脳型集積システム 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Brain type integrated system using IGZO thin film as variable resistance element 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山川 大樹 / Daiki Yamakawa / ヤマカワ ダイキ
第1著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴山 友輝 / Yuki Shibayama / シバヤマ ユウキ
第2著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 生島 恵典 / Keisuke Ikushima / イクシマ ケイスケ
第3著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉崎 澄生 / Sumio Sugisaki / スギサキ スミオ
第4著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮前 義範 / Yoshinori Miyamae / ミヤマエ ヨシノリ
第5著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ
第6著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
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講演者
発表日時 2017-12-22 14:00:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-EID2017-19,IEICE-SDM2017-80 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.372(EID), no.373(SDM) 
ページ範囲 pp.39-44 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EID-2017-12-15,IEICE-SDM-2017-12-15 


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