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講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-22 13:30
レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定
野村竜生荒牧達也松田時宜龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-17 SDM2017-78 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-17 SDM2017-78
抄録 (和) 廃熱を回収し,効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられている.しかし,熱電変換素子として期待されている酸化物半導体には希少金属が使用されていることが多い.そこで,我々はレアメタルフリー酸化物半導体であるGTO薄膜を用いた熱電変換素子を研究している.本研究ではGTO熱電変換素子のアニール,酸素流量比,成膜圧力の依存性の評価を行った.酸素流量比Ar/O2=20/4 sccmの時でゼーベック係数が−284 μV/K,導電率は3.9 S/cm,PFは0.031 mW/m K2となった.今後成膜条件を最適化していくことで,より性能の向上がみられると考える. 
(英) It is thought that if we convert thermal energy to electric energy efficiently, we can reduce the amount of oil used. However, rare metals are often used for oxide semiconductors which are expected as thermoelectric conversion elements. Therefore, we are researching thermoelectric conversion elements using GTO thin film which is a rare metal free oxide semiconductor. In this study, the dependence on the annealing, oxygen flow rate ratio and film forming pressure of the GTO thermoelectric conversion element was evaluated. When the oxygen flow rate ratio Ar / O2 = 20/4 sccm, the Seebeck coefficient was -284 μV / K, the conductivity was 3.9 S / cm, and the PF was 0.031 mW / m K2. We believe that performance will be improved by optimizing the film forming conditions in the future.
キーワード (和) 熱電効果 / ゼーベック効果 / 酸化物半導体 / / / / /  
(英) Thermoelectric effect / Seebeck effect / Oxide semiconductor / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-78, pp. 29-34, 2017年12月.
資料番号 SDM2017-78 
発行日 2017-12-15 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード EID2017-17 SDM2017-78 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-17 SDM2017-78

研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2017-12-22 - 2017-12-22 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 
テーマ(英) Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Seebeck effect measurement of rare metal free oxide semiconductor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 熱電効果 / Thermoelectric effect  
キーワード(2)(和/英) ゼーベック効果 / Seebeck effect  
キーワード(3)(和/英) 酸化物半導体 / Oxide semiconductor  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野村 竜生 / Ryuki Nomura / ノムラ リュウキ
第1著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒牧 達也 / Tatsuya Aramaki / アラマキ タツヤ
第2著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ
第3著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅田 鉄馬 / Kenta Umeda / ウメダ ケンタ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ
第6著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
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講演者
発表日時 2017-12-22 13:30:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-EID2017-17,IEICE-SDM2017-78 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.372(EID), no.373(SDM) 
ページ範囲 pp.29-34 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EID-2017-12-15,IEICE-SDM-2017-12-15 


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