講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-22 13:30
レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定 ○野村竜生・荒牧達也・松田時宜(龍谷大)・梅田鉄馬・上沼睦典(奈良先端大)・木村 睦(龍谷大) EID2017-17 SDM2017-78 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-17 SDM2017-78 |
抄録 |
(和) |
廃熱を回収し,効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられている.しかし,熱電変換素子として期待されている酸化物半導体には希少金属が使用されていることが多い.そこで,我々はレアメタルフリー酸化物半導体であるGTO薄膜を用いた熱電変換素子を研究している.本研究ではGTO熱電変換素子のアニール,酸素流量比,成膜圧力の依存性の評価を行った.酸素流量比Ar/O2=20/4 sccmの時でゼーベック係数が−284 μV/K,導電率は3.9 S/cm,PFは0.031 mW/m K2となった.今後成膜条件を最適化していくことで,より性能の向上がみられると考える. |
(英) |
It is thought that if we convert thermal energy to electric energy efficiently, we can reduce the amount of oil used. However, rare metals are often used for oxide semiconductors which are expected as thermoelectric conversion elements. Therefore, we are researching thermoelectric conversion elements using GTO thin film which is a rare metal free oxide semiconductor. In this study, the dependence on the annealing, oxygen flow rate ratio and film forming pressure of the GTO thermoelectric conversion element was evaluated. When the oxygen flow rate ratio Ar / O2 = 20/4 sccm, the Seebeck coefficient was -284 μV / K, the conductivity was 3.9 S / cm, and the PF was 0.031 mW / m K2. We believe that performance will be improved by optimizing the film forming conditions in the future. |
キーワード |
(和) |
熱電効果 / ゼーベック効果 / 酸化物半導体 / / / / / |
(英) |
Thermoelectric effect / Seebeck effect / Oxide semiconductor / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-78, pp. 29-34, 2017年12月. |
資料番号 |
SDM2017-78 |
発行日 |
2017-12-15 (EID, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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