講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-22 13:15
GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭(龍谷大)・梅田鉄馬(奈良先端大)・松田時宜(龍谷大)・上沼睦典(奈良先端大)・木村 睦(龍谷大) EID2017-16 SDM2017-77 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-16 SDM2017-77 |
抄録 |
(和) |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O(a-GTO)薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた,薄膜トランジスタ(TFT)と熱電変換素子を作製し評価した.TFTは室温下でRFマグネトロンスパッタ装置を用いてGTO薄膜を成膜し,TFTとして動作させることに成功した. 熱電変換素子はプラスチック基板上に室温下でRFマグネトロンスパッタ装置を用いてGTO薄膜を成膜し熱電特性を評価した. |
(英) |
Thin-film transistors (TFTs) and thermoelectric conversion elements were evaluated by using an amorphous Ga-Sn-O (a-GTO) thin films of rare metal-free oxide semiconductors to be applied to flexible devices. GTO TFTs was fabricated using RF magnetron sputtering at room temperature, and we succeeded in operating as TFTs. The thermoelectric conversion element was also fabricated using RF magnetron sputtering at room temperature on a plastic substrate to evaluate the thermoelectric properties of the GTO film. |
キーワード |
(和) |
RFマグネトロンスパッタ / アモルファスGa-Sn-O(a-GTO)薄膜 / 酸化物半導体 / フレキシブル / 室温 / / / |
(英) |
RF Magnetron Sputtering / Amorphous Ga-Sn-O(a-GTO) Thin Film / Oxide Semiconductor / Flexible / Room Temperature / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-77, pp. 23-28, 2017年12月. |
資料番号 |
SDM2017-77 |
発行日 |
2017-12-15 (EID, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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