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講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-22 10:45
高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~
小澤愼二竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研
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抄録 (和) オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である.高濃度Alドープ4H-SiCにおける伝導機構とAlドープ量及び温度との関係が明らかになっていない.そこで,異なる高濃度Alドープ4H-SiCの抵抗率をvan der Pauw法を用いて測定し,抵抗率の温度依存性から伝導機構とAlドープ量及び温度との関係を明らかにした. 
(英) To realize SiC n-channel insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with very low on-resistance, it is essential to reduce the resistance in thick p+-type SiC substrates that are collectors of n-channel IGBTs. However, it is not clear that the relationships between its conduction mechanisms and Al concentration or measurement temperature in heavily Al-doped 4H-SiC. Therefore, we measured the temperature-dependent resistivity in heavily-doped 4H-SiC with several Al concentrations by a van der Pauw method, and then elucidated the relationships.
キーワード (和) SiC IGBT / p型4H-SiC / 高濃度Alドープ4H-SiC / 抵抗率の温度依存性 / 伝導機構 / / /  
(英) SiC IGBT / p-type 4H-SiC / Heavily Al-doped 4H-SiC / Temperature-dependent resistivity / Conduction mechanism / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-73, pp. 5-8, 2017年12月.
資料番号 SDM2017-73 
発行日 2017-12-15 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2017-12-22 - 2017-12-22 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 
テーマ(英) Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 
サブタイトル(和) 抵抗率のドープ量及び温度依存性 
タイトル(英) Conduction mechanisms in heavily Al-doped 4H-SiC epilayers 
サブタイトル(英) Dependencies of resistivity on Al concentration and temperature 
キーワード(1)(和/英) SiC IGBT / SiC IGBT  
キーワード(2)(和/英) p型4H-SiC / p-type 4H-SiC  
キーワード(3)(和/英) 高濃度Alドープ4H-SiC / Heavily Al-doped 4H-SiC  
キーワード(4)(和/英) 抵抗率の温度依存性 / Temperature-dependent resistivity  
キーワード(5)(和/英) 伝導機構 / Conduction mechanism  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小澤 愼二 / Shinji Ozawa / オザワ シンジ
第1著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹下 明伸 / Akinobu Takeshita / タケシタ アキノブ
第2著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 今村 辰哉 / TAtsuya imamura / イマムラ タツヤ
第3著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 晃大 / Kota Takano / タカノ コウタ
第4著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥田 和也 / Kazuya Okuda / オクダ カズヤ
第5著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 日高 淳輝 / Atsuki Hidaka / ヒダカ アツキ
第6著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル
第7著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 紀 世陽 / Shiyang Ji / キ シャン
第8著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 江藤 数馬 / Kazuma Eto / エトウ カズマ
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 児島 一聡 / Kazuoshi Kojima / コジマ カズトシ
第10著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 智久 / Tomohisa Kato / カトウ トモヒサ
第11著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 貞史 / Sadafumi Yoshida / ヨシダ サダフミ
第12著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 元 / Hajime Okumura / オクムラ ハジメ
第13著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者
発表日時 2017-12-22 10:45:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-EID2017-12,IEICE-SDM2017-73 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.372(EID), no.373(SDM) 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2017-12-15,IEICE-SDM-2017-12-15 


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