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講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-22 11:00
高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~
西畑凜哉竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研
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抄録 (和) オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である.Al濃度が1.6×1019 cm-3の6H-SiCにおいて,ホッピング伝導領域でホール係数が小さくなり,かつ符号が反転すると報告されている.しかし,Al濃度が2×1019 cm-3以上の高濃度p+型4H-SiC試料では,バンド伝導領域ですでにホール係数が小さくなり,かつ符号が反転することがわかった.また,ホール電圧が反転する温度は高濃度試料ほど高温側に移動することがわかった. 
(英) To realize SiC n-channel insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with very low on-resistance, it is essential to reduce the resistance in thick p+-type SiC substrates that are collectors of n-channel IGBTs. In p-type 6H-SiC with an Al concentration (NAl) of 1.6×1019 cm-3, it was reported that a decrement in its Hall coefficient appeared in a hopping conduction region, not a band conduction region, and that an inversion of its Hall coefficient occurred at a lower temperature. On the other hand, in p-type 4H-SiC with NAl of higher than 2×1019 cm-3, it is found that the decrement and inversion of their Hall coefficients occur in the band conduction region. Moreover, the temperature at which the inversion of the Hall coefficient occurs becomes higher as NAl is increased.
キーワード (和) 高濃度Alドープ4H-SiC / 抵抗率 / ホール効果測定 / ホール係数 / 伝導機構 / / /  
(英) Heavily Al-doped 4H-SiC / Resistivity / Hall-effect measurement / Hall coefficient / Conduction mechanism / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-74, pp. 9-12, 2017年12月.
資料番号 SDM2017-74 
発行日 2017-12-15 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2017-12-22 - 2017-12-22 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 
テーマ(英) Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 
サブタイトル(和) ホール係数の反転と伝導機構との関係 
タイトル(英) Temperature Dependent Hall Coefficient in Heavily Al-Doped 4H-SiC 
サブタイトル(英) Relationship between Inversion of Hall Coefficient and Conduction Mechanism 
キーワード(1)(和/英) 高濃度Alドープ4H-SiC / Heavily Al-doped 4H-SiC  
キーワード(2)(和/英) 抵抗率 / Resistivity  
キーワード(3)(和/英) ホール効果測定 / Hall-effect measurement  
キーワード(4)(和/英) ホール係数 / Hall coefficient  
キーワード(5)(和/英) 伝導機構 / Conduction mechanism  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西畑 凜哉 / Rinya Nishihata / ニシハタ リンヤ
第1著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹下 明伸 / Akinobu Takeshita / タケシタ アキノブ
第2著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 今村 辰哉 / Tatsuya Imamura / イマムラ タツヤ
第3著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 晃大 / Kota Takano / タカノ コウタ
第4著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥田 和也 / Kazuya Okuda / オクダ カズヤ
第5著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小澤 愼二 / Shinji Ozawa / オザワ シンジ
第6著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 日高 淳輝 / Atsuki Hidaka / ヒダカ アツキ
第7著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル
第8著者 所属(和/英) 大阪電気通信大学 (略称: 阪電通大)
Osaka Electro-Communication University (略称: OECU)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 紀 世陽 / Shiyang Ji / キ シャン
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 江藤 数馬 / Kazuma Eto / エトウ カズマ
第10著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 児島 一聡 / Kazutoshi Kojima / コジマ カズトシ
第11著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 智久 / Tomohisa Kato / カトウ トモヒサ
第12著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 貞史 / Sadafumi Yoshida / ヨシダ サダフミ
第13著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 元 / Hajime Okumura / オクムラ ハジメ
第14著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者
発表日時 2017-12-22 11:00:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-EID2017-13,IEICE-SDM2017-74 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.372(EID), no.373(SDM) 
ページ範囲 pp.9-12 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2017-12-15,IEICE-SDM-2017-12-15 


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