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講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-22 15:30
Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ
西口尚希内海弘樹原 明人東北学院大
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抄録 (和) 新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅(Cu)を用いた金属誘起結晶化(Cu-MIC)を行った。GeSn (Sn=7%)の固相成長による結晶化と比較して,Cu-MICを用いた結晶化はラマン散乱の半値幅が小さくなっており,高品質の結晶を形成している事が明らかになった。また,Cu-MIC poly-GeSn (Sn=7%)を用いて500 ℃でガラス基板上に自己整合ダブルゲートpoly-GeSn薄膜トランジスタを作成し,on/off比4000,移動度25 cm2/Vsという結果を得た。 
(英) Germanium tin (GeSn) is known as a new semiconductor device material. We used metal induced crystallization (MIC) using copper (Cu) for crystallization of GeSn (Sn=7%) thin film. It was found that quality of Cu-MIC poly-GeSn (Sn=7%) is superior to those of solid-phase crystallization (SPC) poly-GeSn (Sn=7%) and pure poly-Ge thin film. We fabricated double-gate poly-GeSn (Sn=7%) thin-film transistors (TFTs) to reduce off-current and it was found to be mobility of 25 cm2/Vs and on/off ration of 4000.
キーワード (和) 薄膜トランジスタ / ゲルマニウムスズ / ゲルマニウム / ダブルゲート / 金属誘起成長 / / /  
(英) thin film transistor / GeSn / Ge / double gate / metal induced crystallization / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-85, pp. 67-70, 2017年12月.
資料番号 SDM2017-85 
発行日 2017-12-15 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2017-12-22 - 2017-12-22 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 
テーマ(英) Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Self-Aligned Double-Gate Cu-MIC Poly-GeSn TFT on a Glass Substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin film transistor  
キーワード(2)(和/英) ゲルマニウムスズ / GeSn  
キーワード(3)(和/英) ゲルマニウム / Ge  
キーワード(4)(和/英) ダブルゲート / double gate  
キーワード(5)(和/英) 金属誘起成長 / metal induced crystallization  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西口 尚希 / Naoki Nishiguchi / ニシグチ ナオキ
第1著者 所属(和/英) 東北学院大学 (略称: 東北学院大)
Tohoku Gakuin University (略称: Tohoku Gakuin Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 内海 弘樹 / Hiroki Utsumi / ウツミ ヒロキ
第2著者 所属(和/英) 東北学院大学 (略称: 東北学院大)
Tohoku Gakuin University (略称: Tohoku Gakuin Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト
第3著者 所属(和/英) 東北学院大学 (略称: 東北学院大)
Tohoku Gakuin University (略称: Tohoku Gakuin Univ.)
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講演者
発表日時 2017-12-22 15:30:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-EID2017-24,IEICE-SDM2017-85 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.372(EID), no.373(SDM) 
ページ範囲 pp.67-70 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2017-12-15,IEICE-SDM-2017-12-15 


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