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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-12-22 15:30 Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ ○西口尚希・内海弘樹・原 明人（東北学院大）  EID2017-24 SDM2017-85 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2017-24 SDM2017-85 |
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| 抄録 | （和） | 新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅(Cu)を用いた金属誘起結晶化(Cu-MIC)を行った。GeSn (Sn=7％)の固相成長による結晶化と比較して，Cu-MICを用いた結晶化はラマン散乱の半値幅が小さくなっており，高品質の結晶を形成している事が明らかになった。また，Cu-MIC poly-GeSn (Sn=7%)を用いて500 ℃でガラス基板上に自己整合ダブルゲートpoly-GeSn薄膜トランジスタを作成し，on/off比4000，移動度25 cm2/Vsという結果を得た。 |
| （英） | Germanium tin (GeSn) is known as a new semiconductor device material. We used metal induced crystallization (MIC) using copper (Cu) for crystallization of GeSn (Sn=7%) thin film. It was found that quality of Cu-MIC poly-GeSn (Sn=7%) is superior to those of solid-phase crystallization (SPC) poly-GeSn (Sn=7%) and pure poly-Ge thin film. We fabricated double-gate poly-GeSn (Sn=7%) thin-film transistors (TFTs) to reduce off-current and it was found to be mobility of 25 cm2/Vs and on/off ration of 4000. | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / ゲルマニウムスズ / ゲルマニウム / ダブルゲート / 金属誘起成長 / / / |
| （英） | thin film transistor / GeSn / Ge / double gate / metal induced crystallization / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-85, pp. 67-70, 2017年12月. | |
| 資料番号 | SDM2017-85 | |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2017-24 SDM2017-85 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2017-24 SDM2017-85 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2017-12-22 - 2017-12-22 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 |
| テーマ（英） | Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Aligned Double-Gate Cu-MIC Poly-GeSn TFT on a Glass Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウムスズ / GeSn |
| キーワード(3)（和/英） | ゲルマニウム / Ge |
| キーワード(4)（和/英） | ダブルゲート / double gate |
| キーワード(5)（和/英） | 金属誘起成長 / metal induced crystallization |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西口 尚希 / Naoki Nishiguchi / ニシグチ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内海 弘樹 / Hiroki Utsumi / ウツミ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-22 15:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2017-24, SDM2017-85 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.372(EID), no.373(SDM) |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |
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